摘要 | 第3-4页 |
abstract | 第4-5页 |
第一章 绪论 | 第9-26页 |
1.1 纳米TiO_2基本性质 | 第9-12页 |
1.1.1 TiO_2的晶体结构 | 第9-10页 |
1.1.2 TiO_2的能带结构 | 第10-11页 |
1.1.3 TiO_2的结构转变 | 第11-12页 |
1.2 光电化学与光催化简述 | 第12-15页 |
1.2.1 光催化反应机理 | 第12-13页 |
1.2.2 光电化学(PEC)原理 | 第13-14页 |
1.2.3 光电极材料的选择标准 | 第14-15页 |
1.3 TiO_2的制备方法 | 第15-17页 |
1.3.1 气相法制备TiO_2 | 第15-16页 |
1.3.2 液相法制备TiO_2 | 第16-17页 |
1.4 影响TiO_2光催化活性的因素与提高途径 | 第17-23页 |
1.4.1 晶型、晶面与晶体缺陷的影响 | 第17-19页 |
1.4.2 温度与pH值的影响 | 第19页 |
1.4.3 pH影响因素 | 第19-20页 |
1.4.4 掺杂 | 第20页 |
1.4.5 半导体复合 | 第20-21页 |
1.4.6 表面贵金属改性 | 第21-22页 |
1.4.7 染料敏化 | 第22-23页 |
1.5 TiO_2的应用 | 第23-25页 |
1.5.1 TiO_2在空气净化方面的应用 | 第23-24页 |
1.5.2 TiO_2在水净化方面应用 | 第24页 |
1.5.3 纳米TiO_2在建筑材料方面的应用 | 第24-25页 |
1.6 选题依据与研究内容 | 第25-26页 |
第二章 TiO_2纳米阵列的制备及其性能研究 | 第26-37页 |
2.1 引言 | 第26页 |
2.2 实验部分 | 第26-29页 |
2.2.1 实验原料及试剂 | 第26页 |
2.2.2 实验仪器 | 第26-27页 |
2.2.3 TiO_2纳米阵列的制备 | 第27-28页 |
2.2.4 TiO_2纳米阵列的表征与测试 | 第28-29页 |
2.3 结果与讨论 | 第29-36页 |
2.3.1 TiO_2纳米阵列XRD分析 | 第29-30页 |
2.3.2 TiO_2纳米阵列的形貌分析 | 第30-32页 |
2.3.3 TiO_2纳米阵列紫外-可见固体漫反射光谱分析 | 第32页 |
2.3.4 TiO_2纳米阵列的光电化学分解水性质 | 第32-35页 |
2.3.5 TiO_2纳米阵列光电降解罗丹明B | 第35-36页 |
2.4 本章小结 | 第36-37页 |
第三章 g-C_3N_4/TiO_2复合薄膜的制备及其性能研究 | 第37-48页 |
3.1 引言 | 第37页 |
3.2 实验部分 | 第37-39页 |
3.2.1 实验原料及试剂 | 第37-38页 |
3.2.2 实验仪器 | 第38页 |
3.2.3 g-C_3N_4/TiO_2的制备 | 第38页 |
3.2.4 g-C_3N_4/TiO_2复合薄膜的表征与测试 | 第38-39页 |
3.3 结果与讨论 | 第39-47页 |
3.3.1 g-C_3N_4/TiO_2复合薄膜的XRD分析 | 第39-40页 |
3.3.2 g-C_3N_4/TiO_2复合薄膜的形貌分析 | 第40-41页 |
3.3.3 g-C_3N_4/TiO_2的光学性能分析 | 第41-42页 |
3.3.4 样品的光电化学(PEC)制氢气性能研究 | 第42-45页 |
3.3.5 样品的光电化学降解罗丹明B性能研究 | 第45-46页 |
3.3.6 反应机理 | 第46-47页 |
3.4 本章小结 | 第47-48页 |
第四章 g-C_3N_4/TiO_2(B)微球的制备及其性能研究 | 第48-59页 |
4.1 引言 | 第48页 |
4.2 实验部分 | 第48-51页 |
4.2.1 实验原料及试剂 | 第48-49页 |
4.2.2 实验仪器 | 第49-50页 |
4.2.3 制备过程 | 第50页 |
4.2.4 g-C_3N_4/TiO_2复合催化剂的表征与测试 | 第50-51页 |
4.3 实验结果与分析 | 第51-58页 |
4.3.1 样品的XRD分析 | 第51-52页 |
4.3.2 样品的形貌分析 | 第52-53页 |
4.3.3 样品的光学性能分析 | 第53-55页 |
4.3.4 样品光催化降解罗丹明B性能研究 | 第55-57页 |
4.3.5 样品的光电性能测试 | 第57-58页 |
4.4 本章小结 | 第58-59页 |
第五章 结论 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-67页 |
致谢 | 第67-68页 |
攻读学位期间已发表和待发表的相关学术论文题录 | 第68-69页 |