小功率音频静电感应晶体管的特性研究
摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第一章 绪论 | 第8-13页 |
1.1 引言 | 第8-9页 |
1.2 SIT器件简介 | 第9页 |
1.3 SIT器件结构 | 第9-10页 |
1.4 SIT器件应用 | 第10-11页 |
1.5 本论文的主要工作内容 | 第11-13页 |
第二章 SIT基本作用理论 | 第13-23页 |
2.1 SIT的I-V特性 | 第13-14页 |
2.2 沟道势垒 | 第14-18页 |
2.3 小电流分析 | 第18-20页 |
2.4 中、大电流分析 | 第20-21页 |
2.5 双极模式 | 第21-23页 |
第三章 SIT的设计与制作 | 第23-39页 |
3.1 器件性能指标 | 第23-24页 |
3.2 器件设计方法 | 第24-30页 |
3.2.1 材料参数 | 第24-27页 |
3.2.2 结构参数设计 | 第27-30页 |
3.3 版图设计 | 第30-34页 |
3.3.1 沟道单元数目 | 第30页 |
3.3.2 版图布局 | 第30-34页 |
3.4 制作与封装 | 第34-39页 |
3.4.1 关键工艺介绍 | 第34-36页 |
3.4.2 产品封装 | 第36-39页 |
第四章 性能测试与分析 | 第39-68页 |
4.1 测试方案制定 | 第39-40页 |
4.2 器件测试 | 第40-48页 |
4.2.1 晶粒形貌 | 第40-41页 |
4.2.2 静态特性 | 第41-44页 |
4.2.3 温度特性 | 第44-46页 |
4.2.4 动态特性 | 第46-48页 |
4.3 主要性能指标分析 | 第48-60页 |
4.3.1 PN结击穿理论 | 第48-51页 |
4.3.2 栅源击穿分析 | 第51-54页 |
4.3.3 栅漏击穿分析 | 第54-58页 |
4.3.4 寄生电容 | 第58-60页 |
4.4 与其他同类产品的性能对比 | 第60-68页 |
4.4.1 电压放大因子 | 第61-62页 |
4.4.2 微分漏电阻r_d | 第62-63页 |
4.4.3 跨导g_m | 第63-64页 |
4.4.4 器件的非工作区 | 第64-65页 |
4.4.5 其他重要参数对比 | 第65页 |
4.4.6 器件设计的改进措施 | 第65-68页 |
第五章 主要结论与研究展望 | 第68-70页 |
5.1 主要结论 | 第68-69页 |
5.2 研究展望 | 第69-70页 |
参考文献 | 第70-73页 |
在学期间的研究成果 | 第73-74页 |
致谢 | 第74-75页 |