| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-27页 |
| 1.1 薄膜晶体管概论 | 第10-11页 |
| 1.2 多晶硅薄膜晶体管技术简介 | 第11-13页 |
| 1.3 本文研究背景 | 第13-20页 |
| 1.3.1 本文工作基础 | 第13-16页 |
| 1.3.2 MOSFET 亚阈值区电流模型简介 | 第16页 |
| 1.3.3 多晶硅薄膜晶体管亚阈值区模型研究动态 | 第16-20页 |
| 1.4 本文实验器件与研究方法 | 第20-23页 |
| 1.4.1 器件结构及制备工艺 | 第20-21页 |
| 1.4.2 实验研究方法 | 第21-23页 |
| 1.5 本论文的主要工作 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-27页 |
| 第二章 亚阈值区内有效迁移率遵循 Meyer-Neldel rule | 第27-41页 |
| 2.0 Meyer-Neldel rule 简介 | 第27-29页 |
| 2.1 亚阈值区导电机制 | 第29-32页 |
| 2.2 亚阈值区内有效迁移率提取 | 第32-33页 |
| 2.3 亚阈值区内有效迁移率温度特性 | 第33-35页 |
| 2.4 亚阈值区内有效迁移率的 Meyer-Neldel rule | 第35-37页 |
| 2.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-41页 |
| 第三章 多晶硅薄膜晶体管亚阈值区电流模型 | 第41-61页 |
| 3.1 多晶硅薄膜晶体管沟道反型过程 | 第41-44页 |
| 3.2 沟道反型电荷密度建模 | 第44-46页 |
| 3.3 亚阈值区有效迁移率建模 | 第46-50页 |
| 3.4 亚阈值区电流模型 | 第50-52页 |
| 3.5 亚阈值摆幅的讨论 | 第52-55页 |
| 3.6 统一的电流模型 | 第55-57页 |
| 3.7 本章小结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 第四章 结论及未来工作 | 第61-63页 |
| 4.1 本文结论 | 第61-62页 |
| 4.2 论未来工作 | 第62-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |