| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 引言 | 第13-17页 |
| §1.1 过渡金属化合物 | 第13-14页 |
| §1.2 第一性原理计算 | 第14-15页 |
| §1.3 化学键分析 | 第15页 |
| §1.4 本文的主要工作和内容安排 | 第15-17页 |
| 第二章 密度泛函理论 | 第17-22页 |
| §2.1 基本思想框架 | 第17-20页 |
| §2.2 VASP及本工作中使用的参数 | 第20-22页 |
| 第三章 量子化学拓扑分析 | 第22-30页 |
| §3.1 AIM简介 | 第22-23页 |
| §3.2 ELF简介 | 第23-24页 |
| §3.3 盆区电子布居数 | 第24-25页 |
| §3.4 本文使用的算法 | 第25-30页 |
| §3.4.1 梯度与Laplacian的四阶中心差分 | 第26-29页 |
| §3.4.2 盆区分割 | 第29-30页 |
| 第四章 DO_(22)和L1_2结构的(V,Ti)Al_3 | 第30-40页 |
| §4.1 引言 | 第30-31页 |
| §4.2 晶体结构 | 第31-32页 |
| §4.3 形变电荷密度 | 第32-34页 |
| §4.4 键合作用的AIM分析 | 第34-36页 |
| §4.5 赝隙的形成 | 第36-39页 |
| §4.6 小结 | 第39-40页 |
| 第五章 LiNiO_2中的Jahn-Teller畸变有序的研究和化学键的拓扑分析 | 第40-55页 |
| §5.1 引言 | 第40-41页 |
| §5.2 晶体结构 | 第41-43页 |
| §5.3 总能与态密度 | 第43-46页 |
| §5.4 形变电荷密度 | 第46-47页 |
| §5.5 Ni-O键的AIM分析 | 第47-48页 |
| §5.6 LiNiO_2的ELF分析 | 第48-52页 |
| §5.7 小结 | 第52-53页 |
| 附表 | 第53-55页 |
| 第六章 NaNiO_2的磁有序和化合键 | 第55-73页 |
| §6.1 引言 | 第55页 |
| §6.2 磁有序和总能 | 第55-57页 |
| §6.3 态密度和形变电荷密度 | 第57-58页 |
| §6.4 AIM和ELF分析 | 第58-61页 |
| §6.5 电子交换跃迁路径 | 第61-72页 |
| §6.6 小结 | 第72-73页 |
| 第七章 LiMnO_2中的磁有序和化合键 | 第73-85页 |
| §7.1 引言 | 第73页 |
| §7.2 晶体结构 | 第73-74页 |
| §7.3 磁结构的总能计算和电子跃迁分析 | 第74-80页 |
| §7.3.1 单斜结构LiMnO_2的磁结构分析 | 第74-77页 |
| §7.3.2 正交结构LiMnO_2的磁结构解析 | 第77-80页 |
| §7.4 电荷密度和电子局域化函数分析 | 第80-84页 |
| §7.4.1 形变电荷密度 | 第80-82页 |
| §7.4.2 AIM分析和ELF分析 | 第82-84页 |
| §7.5 小结 | 第84-85页 |
| 第八章 总结 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-94页 |
| 攻读学位期间已发表和完成的学术论文 | 第94-95页 |
| 致谢 | 第95页 |
