| 目录 | 第3-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第8-24页 |
| 1.1 阻变存储器简介 | 第8-10页 |
| 1.2 阻变存储器件制备工艺 | 第10-18页 |
| 1.2.1 等离子体浸没注入技术 | 第11-13页 |
| 1.2.2 等离子体浸没注入技术设备体系 | 第13-16页 |
| 1.2.3 磁控溅射技术 | 第16-18页 |
| 1.2.4 直流磁控溅射装置系统与参数范围 | 第18页 |
| 1.3 阻变存储器工作的机理 | 第18-23页 |
| 1.3.1 空间电荷限制电流效应(SCLC理论) | 第20-21页 |
| 1.3.2 导电细丝理论(Filament模型) | 第21-22页 |
| 1.3.3 场助热电离效应(P-F效应) | 第22-23页 |
| 1.4 本论文的主要工作 | 第23-24页 |
| 第二章 PⅢ制备氮化铜阻变材料 | 第24-45页 |
| 2.1 氮化铜材料属性及研究现状 | 第24-25页 |
| 2.2 氮化铜薄膜的制备与表征 | 第25-37页 |
| 2.2.1 等离子浸没注入系统(PⅢ) | 第25-27页 |
| 2.2.2 X射线光电子能谱(XPS) | 第27-29页 |
| 2.2.3 二次离子质谱(SIMS) | 第29-31页 |
| 2.2.4 半导体分析仪(Keithley 4200) | 第31-34页 |
| 2.2.5 扫描探针显微镜(SPM) | 第34-37页 |
| 2.3 PⅢ制备氮化铜阻变材料实验结果与讨论 | 第37-44页 |
| 2.3.1 PⅢ制备氮化铜薄膜工艺参数及材料表征结果 | 第37-39页 |
| 2.3.2 PⅢ制备氮化铜薄膜电学表征结果 | 第39-41页 |
| 2.3.3 PⅢ制备氮化铜薄膜阻变机理研究 | 第41-44页 |
| 2.4 小结 | 第44-45页 |
| 第三章 磁控溅射制备氮化铜阻变材料 | 第45-57页 |
| 3.1 磁控溅射制备氮化铜薄膜的电学性质研究现状 | 第45-48页 |
| 3.1.1 磁控溅射制备条件对氮化铜薄膜的影响 | 第45-47页 |
| 3.1.2 掺杂对氮化铜薄膜导电能力的影响 | 第47-48页 |
| 3.2 磁控溅射制备氮化铜阻变材料实验结果与讨论 | 第48-55页 |
| 3.2.1 磁控溅射制备氮化铜薄膜工艺参数及材料表征结果 | 第48-50页 |
| 3.2.2 磁控溅射制备氮化铜薄膜电学表征结果 | 第50-52页 |
| 3.2.3 磁控溅射制备氮化铜薄膜阻变机理研究 | 第52-55页 |
| 3.3 小结 | 第55-57页 |
| 第四章 论文总结 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 附录 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
