摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6页 |
第一章 绪论 | 第7-18页 |
1.1 对分立式高密度存储器的市场需求 | 第7-9页 |
1.2 Flash简介与技术瓶颈 | 第9-14页 |
1.2.1 Flash工作原理 | 第9-11页 |
1.2.2 高密度NAND Flash | 第11-13页 |
1.2.3 Nand Flash高密度发展的瓶颈 | 第13-14页 |
1.3 RRAM技术优势及待解决问题 | 第14-17页 |
1.3.1 RRAM工作原理 | 第14-16页 |
1.3.2 高密度优势 | 第16页 |
1.3.3 待解决问题 | 第16-17页 |
1.4 论文结构安排 | 第17-18页 |
第二章 架构设计 | 第18-35页 |
2.1 已存在的一些高密度存储架构及分析 | 第18-24页 |
2.1.1 2D NAND Flash架构及架构分析 | 第18-19页 |
2.1.2 3D Horizontal NAND Flash架构及架构分析 | 第19-21页 |
2.1.3 3D Vertical NAND Flash架构及架构分析 | 第21-22页 |
2.1.4 3D Horizontal RRAM架构及架构分析 | 第22-23页 |
2.1.5 3D Vertical RRAM架构及架构分析 | 第23-24页 |
2.2 3D Shunting Vertical RRAM架构 | 第24-34页 |
2.2.1 采用Shunting结构 | 第24-32页 |
2.2.2 并行操作方式 | 第32-33页 |
2.2.3 高密度优势 | 第33-34页 |
2.3 本章小结 | 第34-35页 |
第三章 抑制高密度三维垂直结构RRAM IR Drop影响的研究 | 第35-45页 |
3.1 IR Drop对read/reset/set造成的影响 | 第35-39页 |
3.1.1 降低read操作可靠性 | 第35-37页 |
3.1.2 降低set/reset可靠性 | 第37-39页 |
3.2 Ref-cell-read方案抑制Read IR Drop影响 | 第39-43页 |
3.2.1 Ref-cell-read方案结构及原理 | 第39-42页 |
3.2.2 Ref cell预写方法 | 第42-43页 |
3.3 Set/Reset-Verify方案抑制Write IR Drop的影响 | 第43-44页 |
3.4 本章小结 | 第44-45页 |
第四章 抑制高密度三维垂直结构RRAM Disturbance的研究 | 第45-68页 |
4.1 Disurbance分析 | 第45-55页 |
4.1.1 Read过程Disturbance分析 | 第47-50页 |
4.1.2 Reset过程Disturbance分析 | 第50-53页 |
4.1.3 Set过程Disturbance分析 | 第53-55页 |
4.2 2D(iode)1R(esistor)方案 | 第55-66页 |
4.2.1 2D1R-RRAM结构 | 第55-58页 |
4.2.2 2D1R方案抑制set过程Disturbance原理 | 第58-61页 |
4.2.3 2D1R方案对Disturbance的抑制情况 | 第61-64页 |
4.2.4 2D1R方案对工艺参数的需求 | 第64-66页 |
4.3 本章小结 | 第66-68页 |
第五章 抑制高密度三维垂直结构RRAM过大阵列导致长延时的研究 | 第68-74页 |
5.1 过长选通延时问题分析 | 第68-69页 |
5.2 Tick-tuck方案 | 第69-73页 |
5.2.1 Tick-tuck方案原理 | 第69-70页 |
5.2.2 Tick-tuck方案具体实现 | 第70-73页 |
5.3 本章小结 | 第73-74页 |
第六章 高密度三维垂直结构RRAM的功耗问题研究 | 第74-80页 |
6.1 Read功耗分析 | 第74-76页 |
6.2 Reset功耗分析 | 第76-78页 |
6.3 Set功耗分析 | 第78-79页 |
6.4 本章小结 | 第79-80页 |
第七章 总结与展望 | 第80-81页 |
7.1 工作总结 | 第80页 |
7.2 设想与展望 | 第80-81页 |
参考文献 | 第81-83页 |
论文发表与专利情况 | 第83-84页 |
致谢 | 第84-85页 |