| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 1 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 ZnO概述 | 第10-14页 |
| 1.1.1 ZnO的基本性质 | 第10-11页 |
| 1.1.2 ZnO材料的应用 | 第11-12页 |
| 1.1.3 ZnO纳米材料的制备方法 | 第12-14页 |
| 1.2 纳米压印技术 | 第14-16页 |
| 1.2.1 纳米压印技术简介 | 第14-15页 |
| 1.2.2 纳米压印技术的分类及工艺流程 | 第15-16页 |
| 1.3 表面等离子共振 | 第16-19页 |
| 1.3.1 表面等离激元的概念 | 第16-18页 |
| 1.3.2 表面等离子体共振作用机理 | 第18-19页 |
| 1.4 光电探测器 | 第19-23页 |
| 1.4.1 光电探测器作用机理 | 第19-20页 |
| 1.4.2 ZnO基光电探测器的研究进展 | 第20-23页 |
| 1.5 本论文的选题意义及主要的研究内容 | 第23-25页 |
| 1.5.1 选题意义 | 第23页 |
| 1.5.2 论文的主要研究内容 | 第23-25页 |
| 2 三维纳米凹坑结构的ZnO薄膜光电探测器的制备及性能研究 | 第25-38页 |
| 2.1 前言 | 第25页 |
| 2.2 实验部分 | 第25-28页 |
| 2.2.1 仪器和药品 | 第25-26页 |
| 2.2.2 ZnO前驱体溶胶及ZnO薄膜的制备 | 第26-27页 |
| 2.2.3 压印模板的制备 | 第27页 |
| 2.2.4 ZnO薄膜纳米图案的制备 | 第27-28页 |
| 2.2.5 光电探测器电极的制备 | 第28页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第28-37页 |
| 2.3.1 Si模板形貌 | 第28-29页 |
| 2.3.2 XRD表征 | 第29-30页 |
| 2.3.3 SEM和AFM表征 | 第30-32页 |
| 2.3.4 光电性能表征 | 第32-34页 |
| 2.3.5 有限差分时域模拟 | 第34-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 3 表面等离激元提高ZnO光电探测器性能研究 | 第38-51页 |
| 3.1 前言 | 第38-39页 |
| 3.2 实验部分 | 第39-41页 |
| 3.2.1 仪器和药品 | 第39页 |
| 3.2.2 ZnO-Au薄膜的制备 | 第39-40页 |
| 3.2.3 压印模板的制备 | 第40页 |
| 3.2.4 ZnO-Au薄膜纳米图案的制备 | 第40页 |
| 3.2.5 ZnO-Au光电探测器电极的制备 | 第40-41页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第41-50页 |
| 3.3.1 紫外-可见光吸收曲线 | 第41页 |
| 3.3.2 XRD表征 | 第41-42页 |
| 3.3.3 TEM表征 | 第42-44页 |
| 3.3.4 SEM和AFM表征 | 第44-46页 |
| 3.3.5 光电性能表征 | 第46-49页 |
| 3.3.6 有限差分时域模拟 | 第49-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 4 三维结构几何尺寸对ZnO光电探测器性能影响的研究 | 第51-60页 |
| 4.1 前言 | 第51页 |
| 4.2 实验部分 | 第51-53页 |
| 4.2.1 仪器和药品 | 第51-52页 |
| 4.2.2 ZnO溶胶薄膜和ZnO-Au溶胶薄膜的制备 | 第52页 |
| 4.2.3 不同宽深比的压印模板的制备 | 第52-53页 |
| 4.2.4 不同宽深比的ZnO和ZnO-Au纳米图案的制备 | 第53页 |
| 4.2.5 ZnO光电探测器电极的制备 | 第53页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第53-59页 |
| 4.3.1 SEM和AFM表征 | 第53-56页 |
| 4.3.2 ZnO光电探测器光电性能表征 | 第56-57页 |
| 4.3.3 有限差分时域模拟 | 第57-58页 |
| 4.3.4 不同宽深比的ZnO-Au光电探测器光电性能表征 | 第58-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 5 结论与展望 | 第60-62页 |
| 5.1 全文主要结论 | 第60-61页 |
| 5.2 论文的创新点 | 第61页 |
| 5.3 工作展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-73页 |
| 附录 | 第73页 |
