| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 课题背景 | 第12-13页 |
| 1.2 金刚石材料的概述 | 第13-14页 |
| 1.3 金刚石材料的结构 | 第14页 |
| 1.4 金刚石的特殊性能 | 第14-17页 |
| 1.5 CVD金刚石膜生长机理 | 第17-19页 |
| 1.6 CVD金刚石膜的生长模式 | 第19-20页 |
| 1.7 金刚石薄膜的制备方法 | 第20-22页 |
| 1.8 本课题研究目的和意义 | 第22-24页 |
| 第二章 实验装置及表征 | 第24-36页 |
| 2.1 直流辉光等离子体CVD装置 | 第24-25页 |
| 2.2 直流辉光放电等离子体的特性 | 第25-28页 |
| 2.3 放电电流与气压的关系 | 第28页 |
| 2.4 金刚石膜的表征 | 第28-34页 |
| 2.4.1 金刚石膜的拉曼光谱 (Raman Spectroscopy) | 第28-29页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscopy，SEM） | 第29页 |
| 2.4.3 透射电镜(Transmission Electron Microscope, TEM) | 第29-30页 |
| 2.4.4 原子力显微镜和表面轮廓仪 | 第30-31页 |
| 2.4.5 微米划痕仪和摩擦磨损试验机 | 第31-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 金刚石膜制备研究 | 第36-50页 |
| 3.1 预处理对金刚石膜表面形核的影响 | 第36-39页 |
| 3.2 甲烷流量对金刚石膜表面形貌的影响 | 第39-41页 |
| 3.3 沉积温度对金刚石膜形貌的影响 | 第41-42页 |
| 3.4 金刚石膜生长速率的影响因素 | 第42-44页 |
| 3.4.1 碳源浓度的影响 | 第42-43页 |
| 3.4.2 生长温度的影响 | 第43-44页 |
| 3.5 氩气掺杂的影响 | 第44-47页 |
| 3.5.1 氩气对等离子体的影响 | 第44-45页 |
| 3.5.2 氩气对金刚石膜生长的影响 | 第45-47页 |
| 3.6. 本章小结 | 第47-50页 |
| 第四章 SiC密封材料表面涂层的制备 | 第50-60页 |
| 4.1 金刚石膜的表面形貌和结构 | 第50-54页 |
| 4.2 AFM测试金刚石膜表面形貌与粗糙度 | 第54-56页 |
| 4.3 纳米金刚石膜的透射电镜测试 | 第56-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 金刚石膜涂层的性能测试 | 第60-70页 |
| 5.1 金刚石膜的摩擦学性能 | 第61-64页 |
| 5.2 金刚石膜涂层的结合力强度 | 第64-66页 |
| 5.3 金刚石膜涂层的静压密封测试 | 第66-68页 |
| 5.4 本章小结 | 第68-70页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第70-74页 |
| 6.1 全文总结 | 第70-71页 |
| 6.2 展望 | 第71-74页 |
| 参考文献 | 第74-82页 |
| 攻读硕士期间已发表的论文 | 第82-84页 |
| 致谢 | 第84页 |
