基于半侵入式侵入式攻击的非易失性存储器内容提取研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 引言 | 第9-13页 |
| 1.1 硬件安全 | 第9-10页 |
| 1.2 针对芯片的攻击手段 | 第10页 |
| 1.3 研究现状和研究意义 | 第10-12页 |
| 1.4 论文结构介绍 | 第12-13页 |
| 第2章 非易失性存储器 | 第13-23页 |
| 2.1 非易失性半导体存储器知识体系 | 第13-21页 |
| 2.1.1 基本工作原理 | 第13-14页 |
| 2.1.2 基本编程机制 | 第14-18页 |
| 2.1.2.1 FN隧穿 | 第15页 |
| 2.1.2.2 增强型的多晶硅氧化物隧穿 | 第15-16页 |
| 2.1.2.3 沟道热电子注入 | 第16-17页 |
| 2.1.2.4 源边注入 | 第17-18页 |
| 2.1.2.5 直接带带隧穿及修改版的F-N隧穿 | 第18页 |
| 2.1.3 几种基本的非易失性半导体存储器类型 | 第18-21页 |
| 2.1.3.1 EPROM/OTP | 第19页 |
| 2.1.3.2 EEPROM | 第19-20页 |
| 2.1.3.3 Flash | 第20-21页 |
| 2.2 激光错误注入理论基础 | 第21-23页 |
| 第3章 半侵入式和侵入式攻击方法 | 第23-40页 |
| 3.1 激光错误注入 | 第23-25页 |
| 3.2 如何利用半侵入式攻击读取存储器内容 | 第25-27页 |
| 3.3 数据残留攻击方法 | 第27-28页 |
| 3.4 利用光子辐射分析读取存储器内容 | 第28-31页 |
| 3.5 使用激光局部加热改变EEPROM存储内容 | 第31-33页 |
| 3.6 将半侵入式攻击与侧信道攻击结合 | 第33-36页 |
| 3.7 从时域控制错误注入的攻击 | 第36-37页 |
| 3.8 总结 | 第37-38页 |
| 3.9 确定攻击手段 | 第38-40页 |
| 第4章 基于光学方法的内容提取 | 第40-56页 |
| 4.1 光学错误注入攻击方案 | 第40-48页 |
| 4.1.1 攻击原理 | 第41-43页 |
| 4.1.2 实验环境和样品准备 | 第43页 |
| 4.1.3 攻击步骤和攻击结果 | 第43-48页 |
| 4.2 光化学侵入式攻击方案 | 第48-56页 |
| 4.2.1 攻击原理 | 第49页 |
| 4.2.2 实验环境和样品准备 | 第49-53页 |
| 4.2.3 攻击结果 | 第53-56页 |
| 第5章 基于探针方法的内容提取 | 第56-72页 |
| 5.1 针对存储器整体的探针探测攻击 | 第56-66页 |
| 5.1.1 攻击原理 | 第56-59页 |
| 5.1.2 实验环境和样品准备 | 第59-63页 |
| 5.1.3 攻击结果 | 第63-66页 |
| 5.2 针对存储单元的探针探测攻击 | 第66-72页 |
| 5.2.1 攻击原理 | 第67页 |
| 5.2.2 实验环境和样品准备 | 第67-68页 |
| 5.2.3 攻击结果 | 第68-72页 |
| 第6章 总结与展望 | 第72-74页 |
| 6.1 总结 | 第72页 |
| 6.2 展望 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第79页 |
