| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-12页 |
| 1.1 引言 | 第7-8页 |
| 1.2 国内外研究现状及进展 | 第8-10页 |
| 1.2.1 表面态 | 第8-9页 |
| 1.2.2 纳米硅的发光机理 | 第9-10页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第10-12页 |
| 第二章 PLD制备纳米硅薄膜的发光实验研究 | 第12-22页 |
| 2.1 脉冲激光沉积法的原理 | 第12-13页 |
| 2.2 PLD方法制备薄膜的优点与工艺参数 | 第13-14页 |
| 2.2.1 PLD方法优点 | 第13页 |
| 2.2.2 PLD主要工艺参数 | 第13-14页 |
| 2.3 实验仪器介绍 | 第14-16页 |
| 2.4 实验制备过程 | 第16页 |
| 2.5 实验分析 | 第16-21页 |
| 2.6 小结 | 第21-22页 |
| 第三章 第一性原理计算 | 第22-31页 |
| 3.1 第一性原理 | 第22-23页 |
| 3.2 密度范函理论 | 第23-25页 |
| 3.3 Materials Studio软件及Castep模块 | 第25-26页 |
| 3.3.1 Materials Studio软件 | 第25页 |
| 3.3.2 Castep模块 | 第25-26页 |
| 3.4 第一性原理计算实例 | 第26-30页 |
| 3.4.1 硅量子点的表面键合影响 | 第26-28页 |
| 3.4.2 硅量子点的弯曲表面效应 | 第28-30页 |
| 3.5 小结 | 第30-31页 |
| 第四章 硅量子面表面键合的构建及初步分析 | 第31-40页 |
| 4.1 模型构建 | 第31-33页 |
| 4.2 基本参数设置 | 第33页 |
| 4.3 计算结果分析 | 第33-34页 |
| 4.4 Castep参数设置分析 | 第34-39页 |
| 4.4.1 比较P1 symmetry与Higher symmetry | 第34-36页 |
| 4.4.2 比较精度 | 第36-38页 |
| 4.4.3 比较GGA与LDA | 第38-39页 |
| 4.5 小结 | 第39-40页 |
| 第五章 表面键合对硅量子面电子结构的影响 | 第40-54页 |
| 5.1 硅量子面超晶胞对称性对电子结构的影响 | 第40-43页 |
| 5.2 硅(111)量子面表面键合对电子结构的影响 | 第43-51页 |
| 5.2.1 表面键合对带隙宽度的影响 | 第43-47页 |
| 5.2.2 表面键合对能带结构的影响 | 第47-49页 |
| 5.2.3 表面键合对态密度的影响 | 第49-50页 |
| 5.2.4 表面键合对结合能的影响 | 第50-51页 |
| 5.3 (100)与(110)面表面键合对电子结构的影响 | 第51页 |
| 5.4 硅量子面的弯曲表面效应 | 第51-52页 |
| 5.5 小结 | 第52-54页 |
| 第六章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 6.1 总结 | 第54-55页 |
| 6.2 展望 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 硕士期间公开发表的论文及参加的科研项目 | 第60-61页 |
