| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外硅量子点存储器研究的发展进程 | 第11-13页 |
| 1.3 本课题的研究目的与意义 | 第13-15页 |
| 2 量子点存储器的基本理论 | 第15-25页 |
| 2.1 量子点存储器的基本理论 | 第15-22页 |
| 2.2 硅量子点双势垒存储器的基本理论 | 第22-24页 |
| 2.3 本章小节 | 第24-25页 |
| 3 硅量子点双势垒存储器的制备 | 第25-30页 |
| 3.1 隧穿二氧化硅薄膜的制备 | 第25-26页 |
| 3.2 富硅碳化硅薄膜的制备 | 第26-27页 |
| 3.3 高温退火处理制备硅量子点 | 第27页 |
| 3.4 硅量子点双势垒存储器的制备 | 第27-29页 |
| 3.5 本章小节 | 第29-30页 |
| 4 硅量子点双势垒存储器性能分析 | 第30-39页 |
| 4.1 硅量子点双势垒存储器编程机制 | 第30-33页 |
| 4.2 硅量子点双势垒存储器的电学特性仿真 | 第33-36页 |
| 4.3 硅量子点双势垒存储器的电学特性测试 | 第36-38页 |
| 4.4 本章小节 | 第38-39页 |
| 5 双势垒存储器硅量子点包裹层的研究 | 第39-47页 |
| 5.1 硅量子点及其包裹层的选择 | 第39页 |
| 5.2 不同介质作为硅量子点包裹层的理论分析 | 第39-42页 |
| 5.3 不同介质作为硅量子点包裹层存储器的电学特性仿真 | 第42-44页 |
| 5.4 不同介质作为硅量子点包裹层存储器的电学特性测试 | 第44-46页 |
| 5.5 本章小节 | 第46-47页 |
| 6 总结与展望 | 第47-49页 |
| 6.1 本文总结 | 第47-48页 |
| 6.2 不足与展望 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 附录1攻读硕士学位期间发表的论文 | 第55-56页 |
| 附录2攻读硕士学位期间申请的专利及获奖 | 第56页 |