基于忆阻的非易失性存储方法的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 存储设备的发展和忆阻存储器的优势 | 第9-11页 |
| 1.2 忆阻存储器的国内外研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 本文的研究内容 | 第13-14页 |
| 1.4 论文结构 | 第14-16页 |
| 2 忆阻的工作机理、建模与仿真 | 第16-30页 |
| 2.1 惠普忆阻的实现 | 第16-18页 |
| 2.2 忆阻指数模型实现 | 第18-27页 |
| 2.3 忆阻的阈值模型 | 第27-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-30页 |
| 3 基于忆阻存储电路的设计 | 第30-37页 |
| 3.1 脉冲电压对忆阻阻值的影响 | 第30-31页 |
| 3.2 忆阻阻值的读写方法设计 | 第31-33页 |
| 3.3 忆阻阻值的擦除方法 | 第33-34页 |
| 3.4 忆阻阻值的读、写、擦除电路的测试 | 第34-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 4 基于忆阻的交叉阵列及其漏电流分析 | 第37-46页 |
| 4.1 基于忆阻的交叉阵列 | 第37页 |
| 4.2 基于忆阻交叉阵列的漏电流分析 | 第37-38页 |
| 4.3 抑制漏电流的忆阻存储单元的设计 | 第38-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 5 基于忆阻信息存储的文件管理机制的研究 | 第46-55页 |
| 5.1 基于忆阻的文件管理的数据存储设计 | 第46-48页 |
| 5.2 基于忆阻的文件管理机制 | 第48-51页 |
| 5.3 基于忆阻存储的文件的基本操作 | 第51-54页 |
| 5.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 6 总结与展望 | 第55-57页 |
| 6.1 总结 | 第55-56页 |
| 6.2 展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 附录 攻读硕士期间发表的论文 | 第62页 |
