摘要 | 第5-8页 |
abstract | 第8-10页 |
第一章 绪论 | 第14-26页 |
1.1 GeSn和GeBi薄膜的研究动机 | 第14-15页 |
1.2 GeSn和GeBi薄膜光电器件研究现状 | 第15-18页 |
1.3 GeSi、GeSn、GeBi和GeTe薄膜最新发展现状 | 第18-22页 |
1.4 P-Si/介质/石墨烯薄膜与CMOS器件技术 | 第22-26页 |
第二章 大尺寸半导体GeR薄膜的生长原理与方法 | 第26-45页 |
2.1 UHV/CVD方法生长GeSi、GeSn薄膜过程 | 第26-33页 |
2.2 分子束外延(MBE)生长GeSn、GeBi薄膜过程 | 第33-41页 |
2.3 半导体SiGe、GeSn和GeBi薄膜材料表征方法 | 第41-45页 |
第三章 外延生长SiGe/Si,Ge/Si和GeSn/Ge弛豫缓冲层薄膜研究 | 第45-77页 |
3.1 低温生长GeSi超材料薄膜缓冲层理论模型及模拟设计 | 第45-54页 |
3.2 外延生长SiGe/Si/Sub.薄膜微结构和弛豫性能分析 | 第54-62页 |
3.3 外延生长Ge/Si薄膜微结构和弛豫性能 | 第62-67页 |
3.4 外延生长GeSn/Ge/Si sub薄膜微结构和弛豫性能 | 第67-76页 |
3.5 本章小结 | 第76-77页 |
第四章 GeSn半导体薄膜的MBE两步生长及双波段性能研究 | 第77-120页 |
4.1 不同Sn含量GeSn薄膜的MBE两步生长 | 第77-88页 |
4.1.1 引言 | 第77-78页 |
4.1.2 GeSn薄膜的MBE两步生长工艺 | 第78-82页 |
4.1.3 GeSn薄膜光电性能测试分析 | 第82-88页 |
4.1.4 小结 | 第88页 |
4.2 退火温度对GeSn单晶外延薄膜稳定性影响 | 第88-99页 |
4.2.1 引言 | 第89页 |
4.2.2 GeSn薄膜原位退火及不稳定性的根源 | 第89-96页 |
4.2.3 退火对GeSn薄膜红外及太赫兹波段特性影响 | 第96-99页 |
4.2.4 小结 | 第99页 |
4.3 衬底温度对高Sn含量超薄GeSn薄膜性能的影响 | 第99-111页 |
4.3.1 引言 | 第100-101页 |
4.3.2 GeSn薄膜微结构与衬底温度的关系 | 第101-106页 |
4.3.4 中远红外和太赫兹波段薄膜特性与衬底温度的关系 | 第106-110页 |
4.3.5 小结 | 第110-111页 |
4.4 不同厚度对高Sn含量GeSn薄膜性能的影响 | 第111-120页 |
4.4.0 引言 | 第111页 |
4.4.1 外延不同厚度的高Sn含量GeSn薄膜微结构分析 | 第111-114页 |
4.4.2 高Sn含量GeSn薄膜在红外及太赫兹波段性能 | 第114-119页 |
4.4.3 总结 | 第119-120页 |
第五章 大尺寸GeBi半导体单晶薄膜生长及性能研究 | 第120-165页 |
5.1 MBE两步法外延生长n型GeBi半导体单晶薄膜 | 第120-138页 |
5.1.1 引言 | 第120-121页 |
5.1.2 n型GeBi薄膜的两步法生长及其特性分析 | 第121-128页 |
5.1.3 两步法生长GeBi薄膜的红外及太赫兹波段性能分析 | 第128-138页 |
5.1.4 小结 | 第138页 |
5.2 在低掺杂P型Si(100)衬底上MBE生长GeBi薄膜 | 第138-149页 |
5.2.1 引言 | 第138-139页 |
5.2.2 不同Bi掺杂剂量对MBE外延GeBi薄膜的微结构影响 | 第139-144页 |
5.2.3 Bi掺杂半导体GeBi薄膜红外及太赫兹波段性能 | 第144-149页 |
5.2.4 小结 | 第149页 |
5.3 在重掺杂p-型Si(100)衬底上外延超厚GeBi合金薄膜 | 第149-165页 |
5.3.1 引言 | 第150页 |
5.3.2 重掺杂p-型Si(100)衬底外延GeBi合金薄膜的微结构 | 第150-159页 |
5.3.3 重掺杂p-型Si(100)衬底外延GeBi合金薄膜光电性能 | 第159-164页 |
5.3.4 小结 | 第164-165页 |
第六章 GeBi和GeSn双波段集成器件及4英寸芯片技术 | 第165-202页 |
6.1 [n-GeSn/i-GeSn/p-Si]红外探测与太赫兹调制PIN器件研究 | 第165-186页 |
6.1.1 引言 | 第165页 |
6.1.2 4英寸PIN型光电探测器成列制作工艺流程 | 第165-170页 |
6.1.3 GeSn薄膜快速可控磷掺杂及PIN浅结器件分析 | 第170-175页 |
6.1.4 GeSn薄膜PIN集成光电器件 | 第175-181页 |
6.1.5 GeSn薄膜集成太赫兹调制器 | 第181-185页 |
6.1.6 小结 | 第185-186页 |
6.2 [p-Si/n-Ge_(1-x)Bi_x]型PN结探测与调制多功能器件研究 | 第186-202页 |
6.2.1 引言 | 第186-187页 |
6.2.2 GeBi薄膜PN结制备及其性能测试分析 | 第187-192页 |
6.2.3 [p-Si/n-GeBi]浅型PN结探测与调制器件功能分析 | 第192-201页 |
6.2.4 小结 | 第201-202页 |
第七章 全文总结与展望 | 第202-206页 |
7.1 全文总结 | 第202-205页 |
7.2 展望 | 第205-206页 |
致谢 | 第206-207页 |
参考文献 | 第207-220页 |
攻读博士学位期间取得的成果 | 第220-223页 |