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大尺寸晶圆级GeSn(Bi)半导体薄膜及集成光电探测器件阵列研究

摘要第5-8页
abstract第8-10页
第一章 绪论第14-26页
    1.1 GeSn和GeBi薄膜的研究动机第14-15页
    1.2 GeSn和GeBi薄膜光电器件研究现状第15-18页
    1.3 GeSi、GeSn、GeBi和GeTe薄膜最新发展现状第18-22页
    1.4 P-Si/介质/石墨烯薄膜与CMOS器件技术第22-26页
第二章 大尺寸半导体GeR薄膜的生长原理与方法第26-45页
    2.1 UHV/CVD方法生长GeSi、GeSn薄膜过程第26-33页
    2.2 分子束外延(MBE)生长GeSn、GeBi薄膜过程第33-41页
    2.3 半导体SiGe、GeSn和GeBi薄膜材料表征方法第41-45页
第三章 外延生长SiGe/Si,Ge/Si和GeSn/Ge弛豫缓冲层薄膜研究第45-77页
    3.1 低温生长GeSi超材料薄膜缓冲层理论模型及模拟设计第45-54页
    3.2 外延生长SiGe/Si/Sub.薄膜微结构和弛豫性能分析第54-62页
    3.3 外延生长Ge/Si薄膜微结构和弛豫性能第62-67页
    3.4 外延生长GeSn/Ge/Si sub薄膜微结构和弛豫性能第67-76页
    3.5 本章小结第76-77页
第四章 GeSn半导体薄膜的MBE两步生长及双波段性能研究第77-120页
    4.1 不同Sn含量GeSn薄膜的MBE两步生长第77-88页
        4.1.1 引言第77-78页
        4.1.2 GeSn薄膜的MBE两步生长工艺第78-82页
        4.1.3 GeSn薄膜光电性能测试分析第82-88页
        4.1.4 小结第88页
    4.2 退火温度对GeSn单晶外延薄膜稳定性影响第88-99页
        4.2.1 引言第89页
        4.2.2 GeSn薄膜原位退火及不稳定性的根源第89-96页
        4.2.3 退火对GeSn薄膜红外及太赫兹波段特性影响第96-99页
        4.2.4 小结第99页
    4.3 衬底温度对高Sn含量超薄GeSn薄膜性能的影响第99-111页
        4.3.1 引言第100-101页
        4.3.2 GeSn薄膜微结构与衬底温度的关系第101-106页
        4.3.4 中远红外和太赫兹波段薄膜特性与衬底温度的关系第106-110页
        4.3.5 小结第110-111页
    4.4 不同厚度对高Sn含量GeSn薄膜性能的影响第111-120页
        4.4.0 引言第111页
        4.4.1 外延不同厚度的高Sn含量GeSn薄膜微结构分析第111-114页
        4.4.2 高Sn含量GeSn薄膜在红外及太赫兹波段性能第114-119页
        4.4.3 总结第119-120页
第五章 大尺寸GeBi半导体单晶薄膜生长及性能研究第120-165页
    5.1 MBE两步法外延生长n型GeBi半导体单晶薄膜第120-138页
        5.1.1 引言第120-121页
        5.1.2 n型GeBi薄膜的两步法生长及其特性分析第121-128页
        5.1.3 两步法生长GeBi薄膜的红外及太赫兹波段性能分析第128-138页
        5.1.4 小结第138页
    5.2 在低掺杂P型Si(100)衬底上MBE生长GeBi薄膜第138-149页
        5.2.1 引言第138-139页
        5.2.2 不同Bi掺杂剂量对MBE外延GeBi薄膜的微结构影响第139-144页
        5.2.3 Bi掺杂半导体GeBi薄膜红外及太赫兹波段性能第144-149页
        5.2.4 小结第149页
    5.3 在重掺杂p-型Si(100)衬底上外延超厚GeBi合金薄膜第149-165页
        5.3.1 引言第150页
        5.3.2 重掺杂p-型Si(100)衬底外延GeBi合金薄膜的微结构第150-159页
        5.3.3 重掺杂p-型Si(100)衬底外延GeBi合金薄膜光电性能第159-164页
        5.3.4 小结第164-165页
第六章 GeBi和GeSn双波段集成器件及4英寸芯片技术第165-202页
    6.1 [n-GeSn/i-GeSn/p-Si]红外探测与太赫兹调制PIN器件研究第165-186页
        6.1.1 引言第165页
        6.1.2 4英寸PIN型光电探测器成列制作工艺流程第165-170页
        6.1.3 GeSn薄膜快速可控磷掺杂及PIN浅结器件分析第170-175页
        6.1.4 GeSn薄膜PIN集成光电器件第175-181页
        6.1.5 GeSn薄膜集成太赫兹调制器第181-185页
        6.1.6 小结第185-186页
    6.2 [p-Si/n-Ge_(1-x)Bi_x]型PN结探测与调制多功能器件研究第186-202页
        6.2.1 引言第186-187页
        6.2.2 GeBi薄膜PN结制备及其性能测试分析第187-192页
        6.2.3 [p-Si/n-GeBi]浅型PN结探测与调制器件功能分析第192-201页
        6.2.4 小结第201-202页
第七章 全文总结与展望第202-206页
    7.1 全文总结第202-205页
    7.2 展望第205-206页
致谢第206-207页
参考文献第207-220页
攻读博士学位期间取得的成果第220-223页

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