| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-28页 |
| 1.1 晶体缺陷的研究进展 | 第12-17页 |
| 1.1.1 晶体缺陷简介 | 第12页 |
| 1.1.2 三维材料晶体缺陷相关研究 | 第12-14页 |
| 1.1.3 二维材料晶体缺陷相关研究 | 第14-17页 |
| 1.2 几种先进陶瓷及电子材料的研究进展 | 第17-25页 |
| 1.2.1 α-Al_2O_3:C热释光及光释光陶瓷 | 第17-20页 |
| 1.2.1.1 热释光及光释光简介 | 第17-18页 |
| 1.2.1.2 α-Al_2O_3:C研究进展 | 第18-20页 |
| 1.2.2 MAX相陶瓷材料Ti_3AlC_2和Ti_3SiC_2 | 第20-23页 |
| 1.2.3 几种二维电子材料研究进展 | 第23-25页 |
| 1.2.3.1 单层GaSe电子材料 | 第23-24页 |
| 1.2.3.2 单层SnS_2和ZrS_2电子材料 | 第24-25页 |
| 1.3 研究目的和意义 | 第25-26页 |
| 1.4 本论文主要研究内容及创新点 | 第26-28页 |
| 1.4.1 主要研究内容 | 第26-27页 |
| 1.4.2 创新点 | 第27-28页 |
| 第二章 研究方法及理论基础 | 第28-34页 |
| 2.1 多粒子体系近似方法 | 第28页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第28-30页 |
| 2.2.1 Kohn-Sham方程 | 第29页 |
| 2.2.2 交换相关势 | 第29-30页 |
| 2.3 布洛赫定理 | 第30页 |
| 2.3.1 布里渊区k点取样 | 第30页 |
| 2.3.2 平面波动能截断值 | 第30页 |
| 2.4 电子与核相互作用 | 第30-32页 |
| 2.5 从头算分子动力学 | 第32-33页 |
| 2.6 计算软件简介 | 第33-34页 |
| 第三章 C杂质缺陷对 α-Al_2O_3晶体结构和电磁性质影响 | 第34-50页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 计算方法 | 第34-35页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第35-48页 |
| 3.3.1 电中性C杂质缺陷 | 第35-43页 |
| 3.3.1.1 缺陷形成能 | 第35-36页 |
| 3.3.1.2 几何结构 | 第36-38页 |
| 3.3.1.3 电磁性质 | 第38-43页 |
| 3.3.2 带电荷C杂质缺陷 | 第43-48页 |
| 3.3.2.1 带电缺陷形成能 | 第44-48页 |
| 3.3.2.2 结果与讨论 | 第48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 MAX相陶瓷材料Ti_3AlC_2及Ti_3SiC_2低能位移反冲事件 | 第50-67页 |
| 4.1 引言 | 第50页 |
| 4.2 计算方法 | 第50-51页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第51-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 空位及元素掺杂对单层GaSe几何结构和电磁性质影响 | 第67-80页 |
| 5.1 引言 | 第67页 |
| 5.2 计算方法 | 第67-68页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第68-79页 |
| 5.3.1 空位缺陷 | 第68-71页 |
| 5.3.1.1 空位形成能 | 第68页 |
| 5.3.1.2 局域几何结构 | 第68-70页 |
| 5.3.1.3 电磁性质 | 第70-71页 |
| 5.3.2 元素掺杂 | 第71-79页 |
| 5.3.2.1 Ga位掺杂 | 第71-76页 |
| 5.3.2.2 Se位掺杂 | 第76-79页 |
| 5.4 本章小结 | 第79-80页 |
| 第六章 空位及元素掺杂对d~0二维材料几何结构和电磁性质影响 | 第80-99页 |
| 6.1 引言 | 第80页 |
| 6.2 计算方法 | 第80-81页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第81-98页 |
| 6.3.1 空位缺陷 | 第81-89页 |
| 6.3.2 过渡金属元素掺杂 | 第89-98页 |
| 6.3.2.1 单原子掺杂 | 第89-93页 |
| 6.3.2.2 磁交换耦合 | 第93-98页 |
| 6.4 本章小结 | 第98-99页 |
| 第七章 总结与展望 | 第99-102页 |
| 7.1 全文总结 | 第99-100页 |
| 7.2 展望 | 第100-102页 |
| 致谢 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-114页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第114-115页 |
