自支撑AlN薄膜的制备及其性质研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-26页 |
| 1.1 柔性电子器件 | 第16-17页 |
| 1.2 Si基柔性电子器件 | 第17-19页 |
| 1.3 Ⅲ-Ⅴ族第三代半导体材料 | 第19-21页 |
| 1.4 AlN薄膜与器件应用 | 第21-23页 |
| 1.5 自支撑AlN薄膜的研究进展 | 第23-24页 |
| 1.6 本文研究的主要内容 | 第24-26页 |
| 第二章 AlN薄膜的生长及表征 | 第26-38页 |
| 2.1 AlN薄膜的制备 | 第26-28页 |
| 2.1.1 反应磁控溅射 | 第26页 |
| 2.1.2 金属有机化学气相沉积 | 第26-27页 |
| 2.1.3 脉冲激光沉积 | 第27页 |
| 2.1.4 分子束外延 | 第27-28页 |
| 2.2 PLD原理和结构介绍 | 第28-31页 |
| 2.2.1 PLD技术的原理 | 第28-29页 |
| 2.2.2 PLD系统的结构 | 第29-31页 |
| 2.3 AlN薄膜的表征 | 第31-35页 |
| 2.3.1 X射线衍射 | 第31-32页 |
| 2.3.2 原子力显微镜 | 第32-33页 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱分析 | 第33-34页 |
| 2.3.4 椭圆偏振光谱仪 | 第34页 |
| 2.3.5 扫描电子显微镜 | 第34-35页 |
| 2.3.6 透射电子显微镜 | 第35页 |
| 2.3.7 分光光度计 | 第35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-38页 |
| 第三章 PLD条件对生长AlN薄膜的影响 | 第38-54页 |
| 3.1 不同条件对AlN薄膜的影响 | 第38-42页 |
| 3.1.1 衬底温度对制备AlN薄膜的影响 | 第38-39页 |
| 3.1.2 腔体气压对制备AlN薄膜的影响 | 第39-41页 |
| 3.1.3 激光能量对制备AlN薄膜的影响 | 第41-42页 |
| 3.2 衬底和缓冲层对于AlN薄膜的影响 | 第42-48页 |
| 3.3 缓冲层上AlN薄膜的其它表征结果 | 第48-53页 |
| 3.3.1 缓冲层上AlN薄膜的XPS结果 | 第48-49页 |
| 3.3.2 缓冲层上AlN薄膜的椭偏仪结果 | 第49-51页 |
| 3.3.3 缓冲层上AlN薄膜的SEM结果 | 第51-52页 |
| 3.3.4 缓冲层上AlN薄膜的TEM结果 | 第52-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 自支撑AlN薄膜的制备及性能 | 第54-64页 |
| 4.1 自支撑AlN薄膜的制备 | 第54-58页 |
| 4.2 自支撑AlN薄膜的光学性质 | 第58-60页 |
| 4.3 自支撑AlN薄膜的光电性 | 第60-61页 |
| 4.4 自支撑AlN薄膜的压电性质 | 第61-63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 5.1 总结 | 第64-65页 |
| 5.2 展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 作者简介 | 第74-75页 |
