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SOI基高速横向IGBT模型与新结构研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-9页
第一章 绪论第12-30页
    1.1 横向IGBT(LIGBT)的研究现状第12-24页
        1.1.1 功率半导体器件及功率IC第12-16页
        1.1.2 LIGBT的研究现状第16-24页
    1.2 LIGBT工作原理与基本特性第24-28页
        1.2.1 阻断特性第25页
        1.2.2 正向导通特性第25-27页
        1.2.3 开关特性第27-28页
    1.3 本文的主要内容及创新第28-30页
第二章 内建势调制SNAPBACK模型与新结构第30-53页
    2.1 集电结内建势调制SNAPBACK模型第30-35页
    2.2 三维横向IGBT器件设计第35-42页
        2.2.1 器件结构及工作机理第35-37页
        2.2.2 结果分析第37-41页
        2.2.3 关键工艺及可集成技术第41-42页
    2.3 槽型横向IGBT器件设计第42-47页
        2.3.1 器件结构及工作机理第42-43页
        2.3.2 结果分析第43-47页
        2.3.3 工艺可实现性第47页
    2.4 三维集电极短路LIGBT的实验第47-52页
        2.4.1 工艺流程及版图设计第48-49页
        2.4.2 实验结果第49-52页
    2.5 本章小结第52-53页
第三章 槽型横向IGBT器件第53-82页
    3.1 槽型器件工作机理第53-64页
        3.1.1 槽型器件耐压机理及实验第53-61页
        3.1.2 槽型LIGBT器件关断过程第61-64页
    3.2 深槽P条型LIGBT新结构第64-73页
        3.2.1 器件结构特征第64-66页
        3.2.2 耐压特性分析第66-67页
        3.2.3 安全工作区第67-71页
        3.2.4 关断特性及折衷关系第71-73页
    3.3 双栅槽型LTIGBT新结构第73-81页
        3.3.1 器件结构特征第73-74页
        3.3.2 正向导通特性及折衷关系第74-77页
        3.3.3 关断特性及折衷关系第77-78页
        3.3.4 温度特性分析第78-81页
    3.4 本章小结第81-82页
第四章 隧道注入型LIGBT器件第82-96页
    4.1 非局域带间隧穿模型第83-87页
    4.2 器件结构及工作机理第87-89页
    4.3 器件性能分析第89-95页
        4.3.1 正向导通和反向导通特性第89-92页
        4.3.2 温度对隧道电流的影响第92-93页
        4.3.3 反向恢复特性第93-95页
    4.4 本章小结第95-96页
第五章 全文总结与展望第96-99页
    5.1 全文总结第96-97页
    5.2 后续工作展望第97-99页
致谢第99-100页
参考文献第100-109页
攻读博士学位期间取得的成果第109-110页

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