SOI基高速横向IGBT模型与新结构研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-30页 |
| 1.1 横向IGBT(LIGBT)的研究现状 | 第12-24页 |
| 1.1.1 功率半导体器件及功率IC | 第12-16页 |
| 1.1.2 LIGBT的研究现状 | 第16-24页 |
| 1.2 LIGBT工作原理与基本特性 | 第24-28页 |
| 1.2.1 阻断特性 | 第25页 |
| 1.2.2 正向导通特性 | 第25-27页 |
| 1.2.3 开关特性 | 第27-28页 |
| 1.3 本文的主要内容及创新 | 第28-30页 |
| 第二章 内建势调制SNAPBACK模型与新结构 | 第30-53页 |
| 2.1 集电结内建势调制SNAPBACK模型 | 第30-35页 |
| 2.2 三维横向IGBT器件设计 | 第35-42页 |
| 2.2.1 器件结构及工作机理 | 第35-37页 |
| 2.2.2 结果分析 | 第37-41页 |
| 2.2.3 关键工艺及可集成技术 | 第41-42页 |
| 2.3 槽型横向IGBT器件设计 | 第42-47页 |
| 2.3.1 器件结构及工作机理 | 第42-43页 |
| 2.3.2 结果分析 | 第43-47页 |
| 2.3.3 工艺可实现性 | 第47页 |
| 2.4 三维集电极短路LIGBT的实验 | 第47-52页 |
| 2.4.1 工艺流程及版图设计 | 第48-49页 |
| 2.4.2 实验结果 | 第49-52页 |
| 2.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第三章 槽型横向IGBT器件 | 第53-82页 |
| 3.1 槽型器件工作机理 | 第53-64页 |
| 3.1.1 槽型器件耐压机理及实验 | 第53-61页 |
| 3.1.2 槽型LIGBT器件关断过程 | 第61-64页 |
| 3.2 深槽P条型LIGBT新结构 | 第64-73页 |
| 3.2.1 器件结构特征 | 第64-66页 |
| 3.2.2 耐压特性分析 | 第66-67页 |
| 3.2.3 安全工作区 | 第67-71页 |
| 3.2.4 关断特性及折衷关系 | 第71-73页 |
| 3.3 双栅槽型LTIGBT新结构 | 第73-81页 |
| 3.3.1 器件结构特征 | 第73-74页 |
| 3.3.2 正向导通特性及折衷关系 | 第74-77页 |
| 3.3.3 关断特性及折衷关系 | 第77-78页 |
| 3.3.4 温度特性分析 | 第78-81页 |
| 3.4 本章小结 | 第81-82页 |
| 第四章 隧道注入型LIGBT器件 | 第82-96页 |
| 4.1 非局域带间隧穿模型 | 第83-87页 |
| 4.2 器件结构及工作机理 | 第87-89页 |
| 4.3 器件性能分析 | 第89-95页 |
| 4.3.1 正向导通和反向导通特性 | 第89-92页 |
| 4.3.2 温度对隧道电流的影响 | 第92-93页 |
| 4.3.3 反向恢复特性 | 第93-95页 |
| 4.4 本章小结 | 第95-96页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第96-99页 |
| 5.1 全文总结 | 第96-97页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第97-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-109页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第109-110页 |
