| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-25页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 钙钛矿太阳能电池 | 第13-16页 |
| 1.2.1 钙钛矿太阳能电池的发展 | 第13-14页 |
| 1.2.2 钙钛矿太阳能电池的结构及工作原理 | 第14-15页 |
| 1.2.3 钙钛矿材料的结构与性质 | 第15-16页 |
| 1.3 钙钛矿薄膜的常见制备方法 | 第16-21页 |
| 1.3.1 一步溶液旋涂法 | 第16-17页 |
| 1.3.2 旋涂浸泡两步法 | 第17-18页 |
| 1.3.3 双源共蒸发法 | 第18-19页 |
| 1.3.4 蒸汽辅助沉积法 | 第19-20页 |
| 1.3.5 单源热蒸发法 | 第20页 |
| 1.3.6 蒸镀浸泡两步法 | 第20-21页 |
| 1.4 研究内容及意义 | 第21-25页 |
| 1.4.1 选题的依据 | 第21-23页 |
| 1.4.2 选题的内容 | 第23-25页 |
| 第二章 实验设备、试剂与表征方法 | 第25-31页 |
| 2.1 实验设备及仪器 | 第25页 |
| 2.2 实验试剂 | 第25-26页 |
| 2.3 钙钛矿薄膜的表征方法 | 第26-31页 |
| 2.3.1 X射线衍射仪（XRD） | 第26-27页 |
| 2.3.2 紫外－可见分光光度计 | 第27页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜 | 第27-28页 |
| 2.3.4 四探针 | 第28-31页 |
| 第三章 蒸镀浸泡两步法制备钙钛矿薄膜 | 第31-39页 |
| 3.1 薄膜衬底的处理 | 第31页 |
| 3.2 钙钛矿薄膜前驱体的制备 | 第31-36页 |
| 3.2.1 CH_3NH_3I的制备 | 第31-32页 |
| 3.2.2 Pb I_2薄膜的制备 | 第32-36页 |
| 3.3 CH_3NH_3PbI_3薄膜样品的制备 | 第36-39页 |
| 第四章 制备参数对钙钛矿薄膜成膜的影响 | 第39-51页 |
| 4.1 不同Pb I_2薄膜厚度对钙钛矿成膜的影响 | 第39-40页 |
| 4.2 CH_3NH_3I异丙醇溶液浓度对钙钛矿成膜的影响 | 第40-44页 |
| 4.2.1 在不同溶液浓度中形成的钙钛矿薄膜样品XRD表征 | 第40-42页 |
| 4.2.2 在不同溶液浓度中形成的钙钛矿薄膜样品的形貌表征 | 第42-44页 |
| 4.3 反应时间对钙钛矿成膜的影响 | 第44-48页 |
| 4.3.1 不同反应时间形成的钙钛矿薄膜样品XRD表征 | 第44-45页 |
| 4.3.2 不同反应时间形成的钙钛矿薄膜样品的形貌表征 | 第45-48页 |
| 4.4 反应温度对钙钛矿成膜的影响 | 第48-51页 |
| 第五章 钙钛矿薄膜的光电特性研究 | 第51-65页 |
| 5.1 CH_3NH_3PbI_3薄膜样品的光学特性研究 | 第51-55页 |
| 5.1.1 浸泡时间对CH_3NH_3PbI_3薄膜样品的光学特性的影响 | 第51-53页 |
| 5.1.2 反应溶液温度对CH_3NH_3PbI_3薄膜样品的光学特性的影响 | 第53-55页 |
| 5.2 CH_3NH_3PbI_3薄膜样品的电学特性研究 | 第55-63页 |
| 5.2.1 浸泡时间对CH_3NH_3PbI_3薄膜样品的电学特性的影响 | 第55-61页 |
| 5.2.2 溶液温度对CH_3NH_3PbI_3薄膜样品的电学特性的影响 | 第61-63页 |
| 5.3 CH_3NH_3PbI_3薄膜样品的光电流谱 | 第63-65页 |
| 第六章 实验结论及下一步工作 | 第65-69页 |
| 6.1 主要结论 | 第65-67页 |
| 6.2 下一步工作 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-76页 |
| 攻读硕士学位期间的获奖情况 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
