| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-24页 |
| 1.1 N面GaN材料与器件 | 第16-20页 |
| 1.1.1 N面GaN材料 | 第16-18页 |
| 1.1.2 N面GaN器件 | 第18-20页 |
| 1.2 N面GaN器件研究进展 | 第20-22页 |
| 1.2.1 国外研究进展 | 第20-22页 |
| 1.2.2 国内研究进展 | 第22页 |
| 1.3 研究意义与研究内容 | 第22-24页 |
| 1.3.1 研究意义 | 第22-23页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第23-24页 |
| 第二章 N面GaN HEMT器件原理 | 第24-34页 |
| 2.1 N面GaN HEMT器件的直流特性 | 第24-27页 |
| 2.2 N面GaN HEMT器件的小信号 | 第27-30页 |
| 2.2.1 本征参数 | 第28-30页 |
| 2.2.2 寄生参数 | 第30页 |
| 2.3 N面GaN HEMT器件的优点 | 第30-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 N面GaN HEMT等比例缩小规律研究 | 第34-52页 |
| 3.1 N面与Ga面GaN HEMT特性的仿真对比 | 第34-38页 |
| 3.2 N面GaN HEMT横向等比例缩小直流特性 | 第38-45页 |
| 3.2.1 N面GaN HEMT横向等比例缩小器件模型 | 第38-39页 |
| 3.2.2 输出特性分析 | 第39-42页 |
| 3.2.3 转移特性分析 | 第42-45页 |
| 3.3 N面GaN HEMTs横向等比例缩小交流特性 | 第45-48页 |
| 3.4 横向等比例缩小存在的短沟道效应及解决方法 | 第48-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 电极参数缩小对器件特性的影响 | 第52-64页 |
| 4.1 栅电极对器件特性的影响 | 第52-58页 |
| 4.1.1 栅长L_g对f_T与f_(max)的影响 | 第52-54页 |
| 4.1.2 栅帽长L_(g.top)对器件f_T与f_(max)的影响 | 第54-56页 |
| 4.1.3 栅茎高d_(stem)对器件f_T与f_(max)的影响 | 第56-58页 |
| 4.1.4 其他栅电极参数对器件特性的影响 | 第58页 |
| 4.2 源漏电极对器件特性的影响 | 第58-62页 |
| 4.2.1 源漏间距对器件特性的影响 | 第58-60页 |
| 4.2.2 源漏欧姆接触对器件特性的影响 | 第60-62页 |
| 4.3 本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 N面GaN Fin-HEMTs器件特性研究 | 第64-72页 |
| 5.1 Fin-HEMTs器件的研究进展 | 第64-65页 |
| 5.2 N面GaN Fin-HEMTs器件工艺 | 第65-67页 |
| 5.3 N面GaN Fin-HEMTs模拟仿真 | 第67-71页 |
| 5.4 本章小结 | 第71-72页 |
| 第六章 总结与展望 | 第72-74页 |
| 6.1 总结 | 第72-73页 |
| 6.2 展望 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
| 作者简介 | 第82-83页 |
