一种具有电子注入的槽栅IGBT的设计与优化
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 选题背景与研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2 IGBT的发展 | 第11-14页 |
| 1.3 IGBT的应用前景及选题意义 | 第14-15页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第15-17页 |
| 第二章 IGBT基础理论 | 第17-27页 |
| 2.1 IGBT的结构和原理 | 第17-18页 |
| 2.2 IGBT的静态特性 | 第18-23页 |
| 2.2.1 输出特性和等效模型 | 第18-21页 |
| 2.2.2 IGBT的阈值电压 | 第21-22页 |
| 2.2.3 IGBT的闩锁效应 | 第22-23页 |
| 2.3 IGBT的开关特性 | 第23-25页 |
| 2.3.1 IGBT开启过程 | 第23-24页 |
| 2.3.2 IGBT关断过程 | 第24-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 IGBT的设计与测试分析 | 第27-47页 |
| 3.1 元胞的设计与优化 | 第27-38页 |
| 3.1.1 阻断电压设计 | 第28-31页 |
| 3.1.2 导通特性设计 | 第31-38页 |
| 3.2 结终端设计 | 第38-43页 |
| 3.2.1 JTT原理 | 第38-40页 |
| 3.2.2 JTT设计优化 | 第40-43页 |
| 3.3 版图设计 | 第43-44页 |
| 3.4 测试结果分析 | 第44-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 电子注入IGBT的设计与优化 | 第47-72页 |
| 4.1 EI-IGBT的原理和结构 | 第47-50页 |
| 4.2 EI-IGBT电子注入模型分析 | 第50-52页 |
| 4.3 EI-IGBT反向产生电流分析 | 第52-57页 |
| 4.4 EI-IGBT基本特性研究 | 第57-67页 |
| 4.4.1 EI-IGBT静态特性 | 第58-62页 |
| 4.4.2 EI-IGBT关断特性 | 第62-67页 |
| 4.5 EI-IGBT的安全工作区 | 第67-69页 |
| 4.6 EI-IGBT工艺设计 | 第69-71页 |
| 4.7 本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 结论与展望 | 第72-74页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第72-73页 |
| 5.2 下一步工作计划 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第79页 |
