| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·非晶半导体概述 | 第11-13页 |
| ·氢化非晶硅及多晶硅薄膜概述 | 第13-17页 |
| ·氢化非晶硅薄膜 | 第13-15页 |
| ·氢化非晶硅薄膜的亚稳性 | 第15-16页 |
| ·氢化多晶硅薄膜概述 | 第16-17页 |
| ·氢化非晶硅薄膜常用制备与晶化方法 | 第17-20页 |
| ·氢化非晶硅薄膜常用制备方法介绍 | 第17-19页 |
| ·气体稀释对晶化的作用 | 第19页 |
| ·后处理对晶化的影响 | 第19-20页 |
| ·本文的主要工作 | 第20-23页 |
| ·选题依据 | 第20-21页 |
| ·研究内容 | 第21-22页 |
| ·技术路线 | 第22-23页 |
| 第二章 氢化非晶硅薄膜制备及其表征 | 第23-34页 |
| ·PECVD 装置及成膜机理 | 第23-26页 |
| ·样品制备 | 第26-27页 |
| ·薄膜性能表征方法 | 第27-33页 |
| ·激光拉曼光谱 | 第27-28页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第28-29页 |
| ·傅里叶变换红外光谱 | 第29-30页 |
| ·紫外-可见光谱 | 第30页 |
| ·暗电导率测试 | 第30-31页 |
| ·原子力显微分析 | 第31-32页 |
| ·透射电子显微分析 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 氩气稀释对氢化非晶硅薄膜晶化的影响 | 第34-50页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·气体稀释比的影响 | 第34-44页 |
| ·表面形貌 | 第34-36页 |
| ·激光拉曼光谱结果 | 第36-38页 |
| ·X 射线衍射分析结果 | 第38-39页 |
| ·傅里叶变换红外光谱分析结果 | 第39-42页 |
| ·紫外-可见光谱分析结果 | 第42-43页 |
| ·透射电镜结果 | 第43-44页 |
| ·射频功率密度的影响 | 第44-47页 |
| ·表面形貌 | 第44-45页 |
| ·激光拉曼光谱结果 | 第45-47页 |
| ·傅里叶变换红外光谱分析结果 | 第47页 |
| ·机理讨论与分析 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 氩等离子体退火对磷掺杂氢化非晶硅薄膜晶化的影响 | 第50-57页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·激光拉曼光谱结果 | 第50-51页 |
| ·电学性能测试结果 | 第51-54页 |
| ·透射电镜结果 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 结论与展望 | 第57-59页 |
| ·工作总结 | 第57页 |
| ·主要创新点 | 第57-58页 |
| ·展望 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 攻读硕士学位期间研究成果 | 第65-67页 |