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压电陶瓷(PZT)特性的分析及实验测试

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第10-20页
    1.1 光学干涉测量第10页
    1.2 相位测量第10-11页
    1.3 相移器种类的介绍第11-15页
    1.4 提高PZT相移精度的方法第15-18页
    1.5 本文的工作重点及创新点第18-20页
第二章 PZT特性及测试系统第20-37页
    2.1 压电陶瓷第20-24页
        2.1.1 压电效应与电致伸缩效应第20页
        2.1.2 正压电效应与逆压电效应第20-22页
        2.1.3 压电陶瓷微位移器第22-23页
        2.1.4 压电陶瓷的发展及应用第23-24页
    2.2 压电陶瓷的特性及分析第24-28页
    2.3 PZT特性测试系统第28-32页
        2.3.1 虚拟仪器简介第28页
        2.3.2 PCI-1200 DAQ卡技术指标第28-29页
        2.3.3 PZT相移器的设计第29-30页
        2.3.4 PZT相移器的驱动第30-31页
        2.3.5 数据的采集第31-32页
    2.4 PZT特性测试原理第32-33页
    2.5 实验研究第33-36页
    2.6 本章小结第36-37页
第三章 PZT测试实验及数据分析第37-45页
    3.1 实验数据的采集第37页
    3.2 实验数据处理及分析第37-43页
        3.2.1 PZT相移器迟滞特性研究及线性分析第39页
        3.2.2 PZT相移器重复性测试第39-41页
        3.2.3 PZT相移器在不同隔驱动参数下的特性研究第41-43页
    3.3 小结第43-45页
第四章 总结及展望第45-47页
谢辞第47-48页
参考文献第48-53页
附录 A第53页

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