| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 InP、GaN 材料概述 | 第8-13页 |
| 1.2 APD 增益噪声特性研究进展 | 第13-16页 |
| 1.3 半导体材料载流子输运特性研究进展 | 第16-18页 |
| 1.4 本论文的主要工作和创新点 | 第18-20页 |
| 2 薄倍增层 APD 增益噪声特性的研究 | 第20-46页 |
| 2.1 弛豫空间增益-噪声理论 | 第20-28页 |
| 2.2 有效载流子的碰撞离化系数的参数提取以及 DSMT 理论的验证 | 第28-36页 |
| 2.3 初始能量效应 | 第36-44页 |
| 2.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 3 蒙特卡罗模拟平台的搭建及载流子输运特性的模拟 | 第46-77页 |
| 3.1 蒙特卡罗方法 | 第46-53页 |
| 3.2 解析能带结构的蒙特卡罗模型 | 第53-56页 |
| 3.3 散射机制 | 第56-66页 |
| 3.4 蒙特卡罗程序之中各个参数的计算 | 第66-67页 |
| 3.5 程序之中各材料参数 | 第67-69页 |
| 3.6 载流子稳态输运特性的蒙特卡罗模拟 | 第69-76页 |
| 3.7 本章小结 | 第76-77页 |
| 4 总结与展望 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-85页 |