| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 引言 | 第10-11页 |
| 1 文献综述 | 第11-25页 |
| 1.1 半导体光催化制氢简介 | 第11-15页 |
| 1.1.1 半导体光催化制氢机理 | 第11-13页 |
| 1.1.2 半导体光催化制氢反应历程 | 第13-14页 |
| 1.1.3 影响光催化剂活性的因素 | 第14-15页 |
| 1.2 可见光催化剂的研究进展 | 第15-17页 |
| 1.2.1 硫化物光催化剂 | 第15-16页 |
| 1.2.2 氧化物光催化剂 | 第16页 |
| 1.2.3 层状催化剂 | 第16-17页 |
| 1.2.4 新型可见光催化剂 | 第17页 |
| 1.3 CdS的性质及其制备 | 第17-19页 |
| 1.4 提高CdS光催化制氢效率的方法 | 第19-24页 |
| 1.4.1 沉积贵金属 | 第19-21页 |
| 1.4.2 负载金属氧化物或硫化物 | 第21页 |
| 1.4.3 与宽禁带半导体复合 | 第21-22页 |
| 1.4.4 嵌入层状化合物 | 第22-23页 |
| 1.4.5 加入牺牲剂 | 第23-24页 |
| 1.5 选题目的及依据 | 第24-25页 |
| 2 实验部分 | 第25-32页 |
| 2.1 实验试剂及仪器 | 第25-27页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第25-26页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第26-27页 |
| 2.2 催化剂的制备 | 第27-29页 |
| 2.2.1 CdS粉末的制备 | 第27页 |
| 2.2.2 CdS-T的制备 | 第27-28页 |
| 2.2.3 不同担载方法制备Pt/CdS | 第28-29页 |
| 2.2.4 共沉淀法制备非贵金属担载的光催化剂-M/CdS-CP-450 | 第29页 |
| 2.3 光催化制氢反应 | 第29-30页 |
| 2.3.1 实验装置 | 第29-30页 |
| 2.3.2 催化剂性能评价 | 第30页 |
| 2.4 光催化剂的表征 | 第30-32页 |
| 2.4.1 X射线衍射(XRD) | 第31页 |
| 2.4.2 透射电镜(TEM) | 第31页 |
| 2.4.3 紫外-可见漫反射吸收光谱(UV-vis) | 第31页 |
| 2.4.4 光电压(SPV) | 第31-32页 |
| 3 共沉淀法制备Pt/CdS-CP的表征及光催化性能研究 | 第32-44页 |
| 3.1 表征结果 | 第32-36页 |
| 3.1.1 XRD | 第32-33页 |
| 3.1.2 TEM | 第33页 |
| 3.1.3 UV-vis | 第33-34页 |
| 3.1.4 SPV | 第34-36页 |
| 3.2 Pt/CdS-CP光催化产氢性能研究 | 第36-43页 |
| 3.2.1 煅烧温度对Pt/CdS-CP光催化产氢性能的影响 | 第36-38页 |
| 3.2.2 煅烧保留时间对Pt/CdS-CP-450光催化产氢性能的影响 | 第38-39页 |
| 3.2.3 铂担载量对Pt/CdS-CP-450光催化产氢性能的影响 | 第39-40页 |
| 3.2.4 共沉淀过程中氯铂酸沉积环境对光催化产氢性能的影响 | 第40-41页 |
| 3.2.5 共沉淀法担载非贵金属光催化产氢活性研究 | 第41-42页 |
| 3.2.6 光催化循环实验 | 第42-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 4 不同担载方法制备Pt/CdS的表征及光催化性能研究 | 第44-53页 |
| 4.1 表征结果 | 第44-48页 |
| 4.1.1 XRD | 第44-45页 |
| 4.1.2 TEM | 第45-46页 |
| 4.1.3 UV-vis | 第46-47页 |
| 4.1.4 SPV | 第47-48页 |
| 4.2 Pt/CdS产氢性能的研究 | 第48-51页 |
| 4.2.1 铂担载方法对Pt/CdS光催化产氢性能的影响 | 第48-50页 |
| 4.2.2 煅烧后处理对Pt/CdS光催化产氢性能的影响 | 第50页 |
| 4.2.3 牺牲剂对Pt/CdS光催化产氢性能的影响 | 第50-51页 |
| 4.3 本章小结 | 第51-53页 |
| 5 结论与展望 | 第53-55页 |
| 5.1 结论 | 第53-54页 |
| 5.2 展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
