| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪言 | 第16-24页 |
| 1.1 GaN材料特点 | 第16-18页 |
| 1.2 GaN器件的优势和发展现状 | 第18-20页 |
| 1.3 GaN HEMT欧姆接触的相关进展 | 第20-22页 |
| 1.4 本文的主要内容及结构安排 | 第22-24页 |
| 第二章 实验设计与工艺实施 | 第24-42页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT工作原理 | 第24-27页 |
| 2.2 GaN HEMT的欧姆接触形成机理 | 第27-29页 |
| 2.3 欧姆接触的评价方法 | 第29-33页 |
| 1）线传输线模型法（LTLM） | 第29-31页 |
| 2）圆传输线模型法（CTLM） | 第31-33页 |
| 2.4 实验设计 | 第33-42页 |
| 工艺1欧姆区整体刻蚀减薄 | 第34-35页 |
| 工艺2欧姆区势垒层挖孔刻蚀 | 第35-38页 |
| 工艺3欧姆区势垒层挖孔填Ti | 第38-42页 |
| 第三章 欧姆电极区势垒层挖孔对欧姆接触的影响 | 第42-68页 |
| 3.1 刻蚀对欧姆接触表面形貌的影响 | 第42-45页 |
| 3.2 刻蚀时间对欧姆接触的影响 | 第45-51页 |
| 3.2.1 不同挖孔刻蚀时间的TLM电阻测试 | 第46-49页 |
| 3.2.2 不同挖孔刻蚀时间的TLM电极间电流对比 | 第49-51页 |
| 3.3 欧姆区势垒层挖孔和欧姆区整体刻蚀减薄的效果对比 | 第51-54页 |
| 3.3.1 挖孔条件和全刻条件的TLM电阻对比 | 第51-53页 |
| 3.3.2 挖孔条件和全刻条件的TLM电流测试对比 | 第53-54页 |
| 3.4 开孔并填充金属Ti对欧姆接触的影响 | 第54-56页 |
| 3.5 孔径大小和孔占比的影响 | 第56-61页 |
| 3.5.1 孔径和占空比对挖孔条件下欧姆接触电阻的影响 | 第57-58页 |
| 3.5.2 孔径对挖孔并填Ti条件下欧姆接触电阻的影响 | 第58-61页 |
| 3.6 挖孔刻蚀对电极下方 2DEG的影响 | 第61-66页 |
| 3.7 小结 | 第66-68页 |
| 第四章 欧姆区势垒层挖孔对GaN HEMT器件的影响 | 第68-78页 |
| 4.1 接触电阻对GaN HEMT特性的影响 | 第68-69页 |
| 4.2 欧姆区势垒层挖孔对小器件的影响 | 第69-73页 |
| 4.3 欧姆区开孔并填充金属Ti的效果 | 第73-76页 |
| 4.4 小结 | 第76-78页 |
| 第五章 结论 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 致谢 | 第84-86页 |
| 作者简介 | 第86-87页 |
