| 中文摘要 | 第8-9页 |
| 英文摘要 | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第10-29页 |
| 1．1 电磁兼容背景 | 第10-11页 |
| 1．2 功率变换器的电磁兼容 | 第11-12页 |
| 1．3 功率变换器电磁干扰问题的研究现状 | 第12-20页 |
| 1．3．1 电磁干扰的测试技术 | 第12-14页 |
| 1．3．2 电磁干扰的机理研究 | 第14页 |
| 1．3．3 电磁干扰的建模 | 第14-16页 |
| 1．3．3．1 传导EMI的建模 | 第14-15页 |
| 1．3．3．2 辐射EMI的建模 | 第15-16页 |
| 1．3．4 电磁干扰的抑制技术 | 第16-19页 |
| 1．3．5 滤波器的研究 | 第19页 |
| 1．3．6 PCB板EMI优化的CAD技术 | 第19-20页 |
| 1．4 论文立论的依据及主要研究成果 | 第20-21页 |
| 1．5 论文的结构 | 第21-29页 |
| 第二章 功率PIN二极管的高频建模 | 第29-55页 |
| 2．1 半导体器件基础 | 第31-35页 |
| 2．1．1 几个基本概念 | 第31-32页 |
| 2．1．1．1 载流子—热平衡载流子浓度公式 | 第31页 |
| 2．1．1．2 寿命—产生与复合 | 第31-32页 |
| 2．1．1．3 迁移率—电阻率 | 第32页 |
| 2．1．1．4 注入—大注入和小注入 | 第32页 |
| 2．1．2 半导体器件基本控制方程 | 第32-35页 |
| 2．1．2．1 载流子输运方程 | 第32-33页 |
| 2．1．2．2 连续性方程与双极扩散方程 | 第33-34页 |
| 2．1．2．3 泊松方程 | 第34页 |
| 2．1．2．4 电中性条件 | 第34-35页 |
| 2．2 PN结原理 | 第35-38页 |
| 2．2．1 平衡PN结 | 第35-36页 |
| 2．2．1．1 内建电势 | 第35-36页 |
| 2．2．1．2 耗尽区宽度 | 第36页 |
| 2．2．2 正偏PN结 | 第36-37页 |
| 2．2．3 反偏PN结 | 第37-38页 |
| 2．3 功率PIN二极管 | 第38-40页 |
| 2．3．1 PIN二极管稳态特性 | 第38-40页 |
| 2．3．2 PIN二极管动态特性 | 第40页 |
| 2．4 PIN二极管改进的集总电荷模型和参数抽取方法 | 第40-52页 |
| 2．4．1 模型的描述 | 第40-48页 |
| 2．4．1．1 正向导通状态 | 第40-44页 |
| 2．4．1．2 电导调制效应—正向恢复过程 | 第44-45页 |
| 2．4．1．3 反向恢复过程 | 第45-47页 |
| 2．4．1．4 结电容C_i | 第47-48页 |
| 2．4．1．5 完整的PIN二极管模型描述 | 第48页 |
| 2．4．2 模型参数的抽取 | 第48-49页 |
| 2．4．3 实验与仿真 | 第49-52页 |
| 2．5 本章小结 | 第52-55页 |
| 第三章 功率MOSFET的高频建模 | 第55-75页 |
| 3．1 功率MOSFET工作原理 | 第57-58页 |
| 3．2 MOS电容原理 | 第58-59页 |
| 3．2．1 MOS电容结构 | 第58页 |
| 3．2．2 功函数 | 第58页 |
| 3．2．3 功函数差φ_（ms）与平带电压V_（fb） | 第58-59页 |
| 3．3 施加偏压的MOS电容 | 第59-63页 |
| 3．3．1 积累 | 第60页 |
| 3．3．2 耗尽 | 第60-62页 |
| 3．3．3 反型 | 第62-63页 |
| 3．4 MOS结构的电容 | 第63-65页 |
| 3．4．1 积累情形 | 第64页 |
| 3．4．2 耗尽情形 | 第64-65页 |
| 3．4．3 反型情形 | 第65页 |
| 3．5 功率MOSFET的子电路高频模型 | 第65-73页 |
| 3．5．1 极间非线性电容的分析 | 第66-70页 |
| 3．5．2 模型参数的抽取 | 第70-71页 |
| 3．5．3 功率MOSFET的子电路模型 | 第71-72页 |
| 3．5．4 实验和仿真 | 第72-73页 |
| 3．6 本章小结 | 第73-75页 |
| 第四章 无源器件的高频模型 | 第75-87页 |
| 4．1 电阻器 | 第75-76页 |
| 4．2 电容器 | 第76-78页 |
| 4．3 电感器 | 第78-83页 |
| 4．3．1 绕组分布电容的抽取 | 第78-81页 |
| 4．3．1．1 测量的方法 | 第79-80页 |
| 4．3．1．2 有限元计算法 | 第80-81页 |
| 4．3．1．3 解析的方法 | 第81页 |
| 4．3．2 影响绕组分布电容的因素 | 第81-83页 |
| 4．4 变压器 | 第83-85页 |
| 4．4．1 高频变压器寄生电容和漏感的抽取 | 第83-84页 |
| 4．4．2 影响高频变压器寄生参数的因素 | 第84-85页 |
| 4．5 本章小结 | 第85-87页 |
| 第五章 功率变换器传导EMI的分析建模和共模EMI抑制技术 | 第87-116页 |
| 5．1 功率变换器传导EMI的国际标准 | 第87-89页 |
| 5．2 功率变换器的传导EMI | 第89-90页 |
| 5．3 差模干扰主导的功率变换器传导EMI模型及分析 | 第90-103页 |
| 5．3．1 差模EMI的精确时域模型电路 | 第90-96页 |
| 5．3．2 差模EMI的简化时域模型电路和频域模型电路及其分析 | 第96-103页 |
| 5．4 共模干扰主导的功率变换器传导EMI模型及分析 | 第103-111页 |
| 5．4．1 共模EMI的精确时域模型电路 | 第103-107页 |
| 5．4．2 共模EMI的简化时域模型电路和频域模型电路及其分析 | 第107-111页 |
| 5．5 内在动态节点电位平衡共模EMI抑制技术 | 第111-115页 |
| 5．5．1 功率变换器的共模EMI | 第111-112页 |
| 5．5．2 内在动态节点电位平衡共模EMI抑制技术 | 第112-114页 |
| 5．5．3 实验及结果 | 第114-115页 |
| 5．6 本章小结 | 第115-116页 |
| 第六章 功率变换器辐射EMI的建模 | 第116-130页 |
| 6．1 偶极子天线原理 | 第116-119页 |
| 6．1．1 电偶极子 | 第116-118页 |
| 6．1．2 磁偶极子 | 第118-119页 |
| 6．2 功率变换器的辐射源和辐射模型 | 第119-127页 |
| 6．2．1 电缆的辐射模型 | 第120-124页 |
| 6．2．1．1 电缆中差模电流的辐射模型 | 第120-122页 |
| 6．2．1．2 电缆中共模电流的辐射模型 | 第122-124页 |
| 6．2．2 高频电流回路的辐射模型 | 第124-126页 |
| 6．2．3 高du／dt导体的辐射模型 | 第126-127页 |
| 6．3 辐射EMI的仿真 | 第127-129页 |
| 6．4 本章小结 | 第129-130页 |
| 第七章 结论和展望 | 第130-132页 |
| 7．1 本文工作的总结 | 第130页 |
| 7．2 今后工作的展望 | 第130-132页 |
| 致谢 | 第132-133页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第133页 |
