| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 波导Bragg光栅研究概况 | 第8-9页 |
| 1.1.1 波导光栅概述 | 第8页 |
| 1.1.2 光纤光栅 | 第8-9页 |
| 1.2 波导Bragg光栅的应用 | 第9-10页 |
| 1.3 聚合物波导Bragg光栅发展现状 | 第10-11页 |
| 1.4 本论文主要研究内容 | 第11-14页 |
| 第二章 波导Bragg光栅理论与设计 | 第14-24页 |
| 2.1 矩形介质波导 | 第14-17页 |
| 2.1.1 马卡提里近似解析法 | 第14-15页 |
| 2.1.2 有效折射率法 | 第15-16页 |
| 2.1.3 单模条件尺寸的确定 | 第16-17页 |
| 2.2 波导Bragg光栅的基本原理 | 第17-18页 |
| 2.3 波导Bragg光栅的设计 | 第18-22页 |
| 2.3.1 光栅结构设计 | 第18-20页 |
| 2.3.2 调谐电极设计 | 第20页 |
| 2.3.3 聚合物材料的选择 | 第20-22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-24页 |
| 第三章 波导Bragg光栅的制备工艺研究 | 第24-44页 |
| 3.1 纳米压印技术 | 第24-28页 |
| 3.1.1 热压印(HE—NIL) | 第24-25页 |
| 3.1.2 紫外硬化压印(UV—NIL) | 第25-26页 |
| 3.1.3 微接触压印(uCP) | 第26页 |
| 3.1.4 纳米压印光栅制作工艺 | 第26-28页 |
| 3.2 薄膜的制备 | 第28-30页 |
| 3.3 掩膜紫外光套刻 | 第30-34页 |
| 3.3.1 真空蒸发镀铝膜 | 第30页 |
| 3.3.2 光刻工艺流程 | 第30-33页 |
| 3.3.3 工艺参数对光刻结果的影响 | 第33-34页 |
| 3.4 反应离子刻蚀 | 第34-38页 |
| 3.4.1 反应离子刻蚀的基本原理 | 第34-35页 |
| 3.4.2 反应离子刻蚀工艺 | 第35-36页 |
| 3.4.3 以SiO_2为下包层的光栅刻蚀 | 第36-37页 |
| 3.4.4 以ZPU44为下包层的光栅刻蚀 | 第37页 |
| 3.4.5 波导刻蚀工艺 | 第37-38页 |
| 3.5 电极制作工艺 | 第38-39页 |
| 3.6 基片的封装与研磨 | 第39-42页 |
| 3.6.1 芯片的封装 | 第39-40页 |
| 3.6.2 端面的处理 | 第40-42页 |
| 3.6.3 粘贴电极引脚 | 第42页 |
| 3.7 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 测试与结果分析 | 第44-52页 |
| 4.1 光波测试系统 | 第44-45页 |
| 4.2 通光测试 | 第45-47页 |
| 4.2.1 直波导通光测试 | 第45-46页 |
| 4.2.2 光栅效应与热光调谐效应测试 | 第46-47页 |
| 4.3 测试结果 | 第47-49页 |
| 4.3.1 以ZPU44为下包层的Bragg光栅测试结果 | 第47-48页 |
| 4.3.2 以SiO_2为下包层的Bragg光栅测试结果 | 第48-49页 |
| 4.4 聚合物波导Bragg光栅存在的问题及改进方案 | 第49-50页 |
| 4.4.1 直波导插入损耗的分析及改进方案 | 第49页 |
| 4.4.2 聚合物波导Bragg光栅工作特性的分析及改进方案 | 第49-50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 总结与展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 攻读硕士期间发表论文 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
