中文摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第1章 绪论 | 第9-18页 |
1.1 甲醛的性质和危害 | 第9-10页 |
1.2 甲醛测定方法及发展 | 第10-12页 |
1.2.1 分光光度法 | 第10-11页 |
1.2.2 色谱法 | 第11页 |
1.2.3 电化学分析法 | 第11页 |
1.2.4 传感器法 | 第11-12页 |
1.3 半导体气敏元件的分类 | 第12-15页 |
1.3.1 烧结型 | 第12-14页 |
1.3.2 厚膜型 | 第14页 |
1.3.3 薄膜型 | 第14-15页 |
1.4 半导体甲醛气体传感器研究概况 | 第15-17页 |
1.5 本文主要工作 | 第17页 |
1.6 文章小结 | 第17-18页 |
第2章 传感器电极的制备 | 第18-23页 |
2.1 单晶硅片的清洗与氧化 | 第19-21页 |
2.1.1 硅片的清洗 | 第19页 |
2.1.2 硅片的氧化 | 第19-21页 |
2.2 叉指电极的制作 | 第21-22页 |
2.2.1 叉指电极的作用 | 第21页 |
2.2.2 叉指电极设计和制作 | 第21-22页 |
2.3 本章小结 | 第22-23页 |
第3章 二氧化锡薄膜制备 | 第23-35页 |
3.1 二氧化锡概述 | 第23-24页 |
3.1.1 二氧化锡结构与性质 | 第23页 |
3.1.2 二氧化锡薄膜性质和用途 | 第23-24页 |
3.2 溶胶-凝胶法制备二氧化锡薄膜 | 第24-30页 |
3.2.1 溶胶-凝胶法成膜原理及优缺点 | 第24-26页 |
3.2.2 Cu掺杂二氧化锡薄膜制备 | 第26-27页 |
3.2.3 溶胶-凝胶法配制胶体 | 第27-29页 |
3.2.4 胶体的涂覆与成膜 | 第29-30页 |
3.2.5 Ti掺杂二氧化锡薄膜制备 | 第30页 |
3.3 磁控溅射法制备Ti掺杂二氧化锡薄膜 | 第30-34页 |
3.3.1 磁控溅射法的基本原理 | 第30-32页 |
3.3.2 磁控溅射系统 | 第32-34页 |
3.4 本章小结 | 第34-35页 |
第4章 二氧化锡薄膜特性分析 | 第35-42页 |
4.1 薄膜的XRD分析 | 第35-37页 |
4.1.1 XRD工作原理 | 第35-36页 |
4.1.2 不同退火温度Cu掺杂二氧化锡薄膜XRD分析 | 第36-37页 |
4.1.3 掺杂与未掺杂SnO_2薄膜XRD分析 | 第37页 |
4.2 薄膜SEM分析 | 第37-39页 |
4.2.1 SEM工作原理 | 第37-38页 |
4.2.2 薄膜SEM表征分析 | 第38-39页 |
4.3 薄膜AFM分析 | 第39-41页 |
4.3.1 AFM工作原理 | 第39-40页 |
4.3.2 薄膜AFM表征分析 | 第40-41页 |
4.4 本章小结 | 第41-42页 |
第5章 甲醛气体传感器性能测试 | 第42-56页 |
5.1 甲醛气体的制备 | 第42页 |
5.2 甲醛气体传感器 | 第42-43页 |
5.3 传感器信号测试系统 | 第43-44页 |
5.4 甲醛气体传感器的测试 | 第44-55页 |
5.4.1 传感器最佳工作温度的确定 | 第44-46页 |
5.4.2 传感器最佳退火温度的验证 | 第46-47页 |
5.4.3 气体浓度对元件响应特性的影响 | 第47-52页 |
5.4.4 传感器重复性测试 | 第52-53页 |
5.4.5 传感器响应时间和恢复时间测试 | 第53页 |
5.4.6 传感器选择性测试 | 第53-55页 |
5.5 本章小结 | 第55-56页 |
结论 | 第56-57页 |
参考文献 | 第57-63页 |
致谢 | 第63页 |