| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第1章 绪言 | 第13-20页 |
| 1.1 纳米量级的分子器件 | 第13-15页 |
| 1.2 分子导线 | 第15页 |
| 1.3 分子开关 | 第15-16页 |
| 1.4 分子整流器 | 第16-17页 |
| 1.5 分子场效应晶体管 | 第17-18页 |
| 1.6 本论文研究的主要内容及意义 | 第18-20页 |
| 第2章 理论研究基础和方法 | 第20-39页 |
| 2.1 基于第一性原理计算的基本方法 | 第20-22页 |
| 2.1.1 第一性原理计算方法 | 第20-21页 |
| 2.1.2 第一性原理计算方法的基本近似 | 第21-22页 |
| 2.2 密度泛函理论方法 | 第22-28页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第22-24页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第24-28页 |
| 2.3 非平衡格林函数方法 | 第28-32页 |
| 2.3.1 平衡格林函数方法 | 第28-29页 |
| 2.3.2 非平衡格林函数方法 | 第29-32页 |
| 2.4 分子器件电输运性质的计算 | 第32-39页 |
| 2.4.1 Landauer理论 | 第32-33页 |
| 2.4.2 分子器件中的电流公式 | 第33-36页 |
| 2.4.3 分子器件电流的计算方法 | 第36-39页 |
| 第3章 T-B_xN_y(x, y=5, 6, 11)分子结电子输运性质的研究 | 第39-48页 |
| 3.1 研究背景 | 第39-40页 |
| 3.2 理论模型和计算细节 | 第40-41页 |
| 3.3 计算结果与讨论 | 第41-47页 |
| 3.3.1 T-B_xN_y(x, y=5, 6, 11)分子结的电子输运特性 | 第41-42页 |
| 3.3.2 分子投影自洽哈密顿(MPSH)本征态的分析 | 第42-45页 |
| 3.3.3 透射谱和投影态密度(PDOS)分析 | 第45-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第4章 Al /P及C/Si取代 3D BN分子中sp~3键合原子电子输运特性的研究 | 第48-64页 |
| 4.1 研究背景 | 第48-49页 |
| 4.2 Al/P取代 3D BN分子中sp~3键合原子的电子输运特性 | 第49-55页 |
| 4.2.1 理论模型与计算细节 | 第49-50页 |
| 4.2.2 计算结果与分析 | 第50-52页 |
| 4.2.3 分子结M1.1 NDR效应的探讨 | 第52-53页 |
| 4.2.4 M2.1 电子输运特性的分析 | 第53-55页 |
| 4.3 C/Si替代 3D BN分子中sp~3键合原子的电子输运特性 | 第55-63页 |
| 4.3.1 模型和计算细节 | 第55页 |
| 4.3.2 计算结果与分析 | 第55-58页 |
| 4.3.3 模型M1.2 和M1.3 电子输运特性的分析 | 第58-60页 |
| 4.3.4 模型M2.2 和M2.3 电子输运特性的分析 | 第60-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第5章 一维C纳米链对T-B_5N_6分子结电子输运特性的调控 | 第64-77页 |
| 5.1 研究背景 | 第64-65页 |
| 5.2 理论模型与计算细节 | 第65-66页 |
| 5.3 计算结果与分析 | 第66-76页 |
| 5.3.1 四种模型平衡态下的输运特性 | 第66-68页 |
| 5.3.2 四种模型有限偏压下的电子输运特性 | 第68-69页 |
| 5.3.3 M1.4 与M1.6 电子输运特性的分析 | 第69-72页 |
| 5.3.4 M1.5 与M1.7 电子输运特性的分析 | 第72-74页 |
| 5.3.5 四种模型前线分子轨道能级随偏压变化的分析 | 第74-76页 |
| 5.4 本章小结 | 第76-77页 |
| 第6章 总结与展望 | 第77-79页 |
| 6.1 总结 | 第77-78页 |
| 6.2 展望 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-88页 |
| 作者简历 | 第88页 |
