摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第11-19页 |
1.1 引言 | 第11-12页 |
1.2 光逻辑门的发展现状 | 第12-17页 |
1.2.1 基于半导体光放大器(SOA)的全光逻辑门 | 第13-15页 |
1.2.2 基于非线性光纤的全光逻辑门 | 第15-17页 |
1.2.3 其他类型的全光逻辑门 | 第17页 |
1.3 本文主要工作内容 | 第17-19页 |
第二章 硅基聚合物热光逻辑门的设计 | 第19-27页 |
2.1 相关材料的选取 | 第19-20页 |
2.1.1 ZPU芯层和包层材料及其参数 | 第19-20页 |
2.1.2 响应特性的影响因素 | 第20页 |
2.1.3 Al电极 | 第20页 |
2.2 矩形波导的有效折射率分析法 | 第20-22页 |
2.3 矩形波导单模传输条件与尺寸的确定 | 第22-23页 |
2.4 硅基聚合物或非逻辑门的结构设计 | 第23-24页 |
2.5 热光逻辑门的性能模拟 | 第24-26页 |
2.6 本章小结 | 第26-27页 |
第三章 硅基聚合物热光逻辑门的制备与测试 | 第27-37页 |
3.1 制备工艺流程和相关设备简介 | 第27-29页 |
3.1.1 制备工艺流程的确定 | 第27-28页 |
3.1.2 相关设备简介 | 第28-29页 |
3.2 实验制备过程 | 第29-32页 |
3.3 热光逻辑门性能参数 | 第32-33页 |
3.4 热光逻辑门的测试 | 第33-34页 |
3.4.1 静态工作特性的测试 | 第33页 |
3.4.2 动态工作特性的测试 | 第33-34页 |
3.5 低功耗数字型聚合物热光逻辑门测试结果与分析 | 第34-36页 |
3.6 本章小结 | 第36-37页 |
第四章 高性能SOI基电光逻辑门的设计 | 第37-53页 |
4.1 SOI材料简介 | 第37页 |
4.2 SOI光波导的特性分析 | 第37-41页 |
4.2.1 SOI脊波导的传输模式分析 | 第37-39页 |
4.2.2 光波导模的截止与单模条件 | 第39-41页 |
4.3 硅基载流子色散效应的理论基础 | 第41-43页 |
4.4 常见的硅光电器件的电学结构 | 第43-45页 |
4.5 电光逻辑门的结构设计 | 第45-49页 |
4.6 电光逻辑门的性能分析 | 第49-52页 |
4.7 本章小结 | 第52-53页 |
第五章 基于石墨烯的电吸收型光逻辑门的设计 | 第53-63页 |
5.1 石墨烯材料简介 | 第53-54页 |
5.2 石墨烯电吸收调制的基本理论 | 第54-56页 |
5.2.1 石墨烯电吸收调制的机理 | 第54页 |
5.2.2 石墨烯的参数及其化学势 | 第54-56页 |
5.3 基于石墨烯的双逻辑门的设计 | 第56-60页 |
5.4 双逻辑门的性能分析 | 第60-62页 |
5.5 本章小结 | 第62-63页 |
第六章 总结与展望 | 第63-66页 |
6.1 总结 | 第63-64页 |
6.2 前景展望 | 第64-66页 |
致谢 | 第66-67页 |
参考文献 | 第67-72页 |
攻读硕士学位期间的成果 | 第72页 |