硅钌合金薄膜结构与低频噪声特性研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 非制冷红外探测器研究简况 | 第10-14页 |
| 1.2.1 探测器分类及敏感薄膜材料 | 第10-11页 |
| 1.2.2 器件噪声与薄膜噪声 | 第11-12页 |
| 1.2.3 低频噪声研究概况及意义 | 第12-14页 |
| 1.3 非晶硅红外敏感薄膜材料研究概况 | 第14-17页 |
| 1.3.1 非晶硅薄膜特性 | 第14页 |
| 1.3.2 非晶硅薄膜掺杂 | 第14-17页 |
| 1.4 论文的主要工作 | 第17-19页 |
| 第二章 薄膜制备及性能研究方法 | 第19-31页 |
| 2.1 硅钌合金薄膜制备 | 第19-24页 |
| 2.1.1 射频磁控溅射沉积装置 | 第19-20页 |
| 2.1.2 混气装置 | 第20-22页 |
| 2.1.3 薄膜制备 | 第22-24页 |
| 2.2 薄膜结构及成份表征方法 | 第24-27页 |
| 2.2.1 能谱分析（EDS） | 第24页 |
| 2.2.2 傅里叶变换红外光谱（FTIR） | 第24-25页 |
| 2.2.3 激光拉曼光谱（Raman） | 第25-27页 |
| 2.3 薄膜电学性能研究方法 | 第27-30页 |
| 2.3.1 电导率测试 | 第27页 |
| 2.3.2 电阻温度系数（TCR）测试 | 第27页 |
| 2.3.3 薄膜低频噪声测试 | 第27-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 硅钌合金薄膜比接触电阻研究 | 第31-44页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 金属/半导体接触理论简介 | 第31-34页 |
| 3.2.1 功函数及接触电势差 | 第31-32页 |
| 3.2.2 表面态及载流子输运 | 第32-34页 |
| 3.2.3 欧姆接触 | 第34页 |
| 3.3 比接触电阻 | 第34-36页 |
| 3.3.1 定义 | 第34页 |
| 3.3.2 测量方法 | 第34-36页 |
| 3.4 电极版图设计及制备 | 第36-40页 |
| 3.4.1 版图设计 | 第37页 |
| 3.4.2 光刻及刻蚀 | 第37-40页 |
| 3.5 电流-电压性能测试结果及讨论 | 第40-43页 |
| 3.6 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 氢掺杂硅钌合金薄膜结构及低频噪声研究 | 第44-55页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 氢流量对薄膜结构和电学性能的影响 | 第44-52页 |
| 4.2.1 FTIR结果及讨论 | 第44-47页 |
| 4.2.2 Raman结果及讨论 | 第47-49页 |
| 4.2.3 电阻率及TCR结果及讨论 | 第49-50页 |
| 4.2.4 低频噪声测试结果及讨论 | 第50-52页 |
| 4.3 退火对薄膜结构和电学性能的影响 | 第52-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 氧掺杂硅钌合金薄膜结构及低频噪声研究 | 第55-66页 |
| 5.1 引言 | 第55页 |
| 5.2 氧流量对薄膜结构和电学性能的影响 | 第55-62页 |
| 5.2.1 FTIR结果及讨论 | 第55-57页 |
| 5.2.2 EDS结果及讨论 | 第57-58页 |
| 5.2.3 Raman结果及讨论 | 第58-59页 |
| 5.2.4 电阻率及TCR结果及讨论 | 第59-60页 |
| 5.2.5 低频噪声结果及讨论 | 第60-62页 |
| 5.3 退火对薄膜结构和电学性能的影响 | 第62-64页 |
| 5.4 本章小结 | 第64-66页 |
| 第六章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 6.1 工作总结 | 第66页 |
| 6.2 展望 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 攻读硕士学位期间研究成果 | 第73-74页 |
