| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 硅纳米线概述 | 第11-12页 |
| 1.2 硅纳米线的制备方法 | 第12-15页 |
| 1.2.1 自下而上法 | 第13页 |
| 1.2.2 自上而下法 | 第13-15页 |
| 1.3 硅纳米线的应用领域 | 第15-17页 |
| 1.4 硅纳米线的表面钝化技术 | 第17页 |
| 1.5 锯齿型硅纳米线的国内外研究现状 | 第17-21页 |
| 1.6 本论文的立题意义,研究内容及创新点 | 第21-23页 |
| 1.6.1 本论文的立题意义及研究内容 | 第21-22页 |
| 1.6.2 创新点 | 第22-23页 |
| 第二章 实验设备及方案 | 第23-29页 |
| 2.1 实验研究概述 | 第23页 |
| 2.2 实验试剂及设备 | 第23-24页 |
| 2.2.1 实验试剂 | 第23页 |
| 2.2.2 实验设备 | 第23-24页 |
| 2.2.3 检测设备 | 第24页 |
| 2.3 实验方案 | 第24-26页 |
| 2.3.1 锯齿型硅纳米线的制备研究 | 第26页 |
| 2.3.2 锯齿型硅纳米线的表面钝化研究 | 第26页 |
| 2.4 材料的表征方法 | 第26-29页 |
| 第三章 锯齿型硅纳米线的制备 | 第29-51页 |
| 3.1 序言 | 第29页 |
| 3.2 单个溶液刻蚀实验 | 第29-33页 |
| 3.2.1 H_2O_2浓度对纳米线形貌的影响 | 第29-31页 |
| 3.2.2 HF浓度对纳米线形貌的影响 | 第31-32页 |
| 3.2.3 H_2O_2浓度与HF浓度对刻蚀速率的影响 | 第32-33页 |
| 3.3 相同HF浓度,不同H_2O_2浓度交替刻蚀实验 | 第33-38页 |
| 3.3.1 H_2O_2浓度差对纳米线形貌的影响 | 第34-36页 |
| 3.3.2 交替频率对纳米线形貌的影响 | 第36-37页 |
| 3.3.3 HF浓度对纳米线形貌的影响 | 第37-38页 |
| 3.4 不同HF与H_2O_2浓度差交替刻蚀制备锯齿型硅纳米线 | 第38-48页 |
| 3.4.1 HF与H_2O_2浓度配比交替刻蚀对纳米线形貌的影响 | 第38-42页 |
| 3.4.2 刻蚀时间对纳米线形貌的影响 | 第42-44页 |
| 3.4.3 沉积时间对纳米线形貌的影响 | 第44-48页 |
| 3.4.4 基底类型对纳米线形貌的影响 | 第48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-51页 |
| 第四章 锯齿型硅纳米线的钝化及光电性能研究 | 第51-61页 |
| 4.1 硅纳米线的减反射性能 | 第51-52页 |
| 4.2 不同条件锯齿型硅纳米线的减反射性能的影响 | 第52-56页 |
| 4.2.1 沉积时间对锯齿型硅纳米线阵列结构减反性能的影响 | 第52-54页 |
| 4.2.2 刻蚀时间对锯齿型硅纳米线阵列结构减反性能的影响 | 第54-56页 |
| 4.3 锯齿型硅纳米线的表面钝化及少子寿命测试 | 第56-59页 |
| 4.3.1 I键钝化 | 第56-57页 |
| 4.3.2 H键钝化 | 第57-58页 |
| 4.3.3 SiO_2膜钝化 | 第58-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 结论与展望 | 第61-63页 |
| 5.1 结论 | 第61页 |
| 5.2 展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 附录 | 第71页 |
