| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第15-31页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第15-18页 |
| 1.1.1 课题来源与研究背景 | 第15-17页 |
| 1.1.2 研究目的及意义 | 第17-18页 |
| 1.2 零磁装置及相关理论的发展概况 | 第18-29页 |
| 1.2.1 零磁装置发展历程与现状 | 第18-22页 |
| 1.2.2 关键理论与技术研究现状 | 第22-29页 |
| 1.2.3 零磁装置建设的关键问题与原因总结 | 第29页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第29-31页 |
| 第2章 屏蔽材料磁特性的测量与磁滞模型的建立 | 第31-49页 |
| 2.1 引言 | 第31页 |
| 2.2 坡莫合金材料的直流磁特性 | 第31-36页 |
| 2.2.1 常规磁场范围下的材料磁化曲线 | 第31-34页 |
| 2.2.2 极低幅值磁场范围下的材料磁导率 | 第34-36页 |
| 2.3 坡莫合金材料的交流磁特性 | 第36-40页 |
| 2.3.1 常规时变磁场下的材料磁滞回线 | 第36-38页 |
| 2.3.2 极低频率时变磁场下的材料导磁特性 | 第38-40页 |
| 2.4 坡莫合金材料的磁滞模型 | 第40-47页 |
| 2.4.1 直流磁滞回线的Jiles-Atherton模型 | 第40-43页 |
| 2.4.2 频率相关的Jiles-Atherton模型 | 第43-45页 |
| 2.4.3 坡莫合金的Jiles-Artherton模型参数 | 第45-47页 |
| 2.5 小结 | 第47-49页 |
| 第3章 屏蔽性能的计算方法及非理想因素的影响研究 | 第49-73页 |
| 3.1 引言 | 第49页 |
| 3.2 静磁屏蔽机理与计算方法 | 第49-53页 |
| 3.2.1 被动磁屏蔽机理 | 第49-50页 |
| 3.2.2 静态磁场下单层屏蔽的理论分析 | 第50-52页 |
| 3.2.3 屏蔽薄层的静磁屏蔽等效内边界条件 | 第52-53页 |
| 3.3 电磁屏蔽机理与计算方法 | 第53-57页 |
| 3.3.1 时变磁场下单层屏蔽的理论分析 | 第53-55页 |
| 3.3.2 屏蔽薄层的电磁屏蔽等效内边界条件 | 第55-57页 |
| 3.4 多层屏蔽的综合屏蔽系数计算方法 | 第57-62页 |
| 3.4.1 多层静磁屏蔽的理论分析 | 第57-59页 |
| 3.4.2 静磁屏蔽与电磁屏蔽的综合分析 | 第59-60页 |
| 3.4.3 多层屏蔽的优化设计 | 第60-62页 |
| 3.5 不可解析形状的屏蔽性能分析 | 第62-66页 |
| 3.5.1 边角对屏蔽性能的影响 | 第62-64页 |
| 3.5.2 孔洞对屏蔽性能的影响 | 第64-66页 |
| 3.6 非连续搭接结构的屏蔽层性能分析 | 第66-72页 |
| 3.6.1 环形非连续磁介质的等效磁导率模型与实验验证 | 第66-69页 |
| 3.6.2 基于等效磁导率的屏蔽性能分析 | 第69-70页 |
| 3.6.3 平板型非连续屏蔽层的等效磁导率 | 第70-72页 |
| 3.7 小结 | 第72-73页 |
| 第4章 退磁过程的计算方法与退磁参数的优化分析 | 第73-93页 |
| 4.1 引言 | 第73页 |
| 4.2 动态矢量退磁过程的计算方法 | 第73-76页 |
| 4.3 退磁过程计算方法的实验验证 | 第76-82页 |
| 4.3.1 环型样件的退磁实验 | 第76-79页 |
| 4.3.2 具有弯曲回路的复杂样件退磁实验 | 第79-82页 |
| 4.4 退磁电流的优化设计 | 第82-88页 |
| 4.4.1 退磁周期与初始磁场值对退磁效果的影响 | 第82-85页 |
| 4.4.2 退磁电流包络线函数的优化 | 第85-86页 |
| 4.4.3 具有谐波的退磁过程分析 | 第86-87页 |
| 4.4.4 具有直流偏移量的退磁过程分析 | 第87-88页 |
| 4.5 屏蔽层的退磁分析 | 第88-92页 |
| 4.5.1 单层屏蔽的退磁模型 | 第88-90页 |
| 4.5.2 多层屏蔽的退磁模型 | 第90-92页 |
| 4.6 小结 | 第92-93页 |
| 第5章 屏蔽性能与退磁效果的综合分析与实验验证 | 第93-124页 |
| 5.1 引言 | 第93页 |
| 5.2 外磁场下屏蔽层的磁平衡状态 | 第93-98页 |
| 5.2.1 屏蔽材料的磁平衡状态 | 第93-95页 |
| 5.2.2 退磁过程决定剩余磁场的机理 | 第95-98页 |
| 5.3 综合考虑屏蔽与退磁的新型屏蔽结构 | 第98-103页 |
| 5.3.1 退磁线圈的孔洞设计 | 第98-99页 |
| 5.3.2 新结构屏蔽系数的计算与优化 | 第99-102页 |
| 5.3.3 新结构对剩余磁场的影响 | 第102-103页 |
| 5.4 磁场分析方法在PTB BMSR-2的应用与实验验证 | 第103-113页 |
| 5.4.1 BMSR-2的基本情况 | 第103-105页 |
| 5.4.2 等效磁导率模型在BMSR-2 的应用 | 第105-108页 |
| 5.4.3 屏蔽性能计算方法在BMSR-2的应用与实验验证 | 第108-110页 |
| 5.4.4 屏蔽材料与线圈磁场的耦合效应分析与验证 | 第110-113页 |
| 5.5 磁场分析方法在TUM零磁装置的应用与实验验证 | 第113-123页 |
| 5.5.1 TUM零磁装置的基本情况 | 第113-114页 |
| 5.5.2 等效磁导率模型在TUM零磁装置的应用 | 第114-116页 |
| 5.5.3 屏蔽性能计算方法在TUM零磁装置的应用与实验验证 | 第116-120页 |
| 5.5.4 退磁过程计算方法在TUM零磁装置的应用与实验验证 | 第120-123页 |
| 5.6 小结 | 第123-124页 |
| 结论 | 第124-126页 |
| 参考文献 | 第126-137页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第137-139页 |
| 致谢 | 第139-140页 |
| 个人简历 | 第140页 |
