摘要 | 第4-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
1 综述 | 第13-21页 |
1.1 相关概念的介绍 | 第13-14页 |
1.1.1 静电势 | 第13页 |
1.1.2 σ-hole的概念 | 第13-14页 |
1.2 σ-hole作用研究现状 | 第14-19页 |
1.2.1 VIIA原子参与形成的 σ-hole作用--卤键 | 第14-16页 |
1.1.2 VIA原子参与形成的 σ-hole作用 | 第16页 |
1.2.3 VA原子参与形成的 σ-hole作用 | 第16-17页 |
1.2.4 IVA原子参与形成的 σ-hole作用 | 第17-18页 |
1.2.5 含有VA-VIIA共价原子二聚体中的 σ-hole作用 | 第18-19页 |
1.3 研究存在的问题及前景展望 | 第19-21页 |
2 理论基础 | 第21-25页 |
2.1 Rayleigh – Schr?dinger微扰理论[31] | 第21-22页 |
2.2 静电势理论 | 第22-23页 |
2.2.1 分子表面静电势 | 第22页 |
2.2.2 分子核的静电势 | 第22-23页 |
2.3 电子密度拓扑理论 | 第23-24页 |
2.4 分子生成密度差理论 | 第24-25页 |
3 第五主族 σ-hole对F···O卤键的加强作用 | 第25-41页 |
3.1 计算方法 | 第42-26页 |
3.2 静电势和几何构型的分析 | 第26-32页 |
3.2.1 O=PX3···(NCF)n(X= F,Cl,Br,H,CH3;n=0,1,2)的分子静电势 | 第26-28页 |
3.2.2 结构和相互作用能 | 第28-32页 |
3.3 分子生成密度差分析(MFDD) | 第32-36页 |
3.4 QTAIM理论分析 | 第36-40页 |
3.4.1 分子图 | 第36-37页 |
3.4.2 复合物NCF···O=PX3···(NCF)n (X = F, Cl, Br, H, CH3, n = 0, 1, 2) 中卤键键鞍点处的电子密度分析 | 第37-39页 |
3.4.3 复合物NCF···O=PX3···(NCF)n (X = F, Cl, Br, H, CH3, n = 0, 1, 2)中卤键键鞍点的能量密度的拉普拉斯量以及能量密度 | 第39-40页 |
3.5 结论 | 第40-41页 |
4 Y···O和X···N卤键对第五主族 σ-hole相互作用的加强 | 第41-61页 |
4.1 计算方法 | 第42页 |
4.2 静电势的分析 | 第42-44页 |
4.3 构型和结合能 | 第44-47页 |
4.3.1 第五主族 σ-hole相互作用O=PH3···NCX | 第44-45页 |
4.3.2 Y···O卤键对第五主族 σ-hole相互作用的加强 | 第45-46页 |
4.3.3 X···N卤键对第五主族 σ-hole相互作用的加强 | 第46-47页 |
4.4 相互作用能和分子静电势的关系 | 第47-50页 |
4.5 电子密度拓扑分析 | 第50-54页 |
4.5.1 分子图 | 第50-51页 |
4.5.2 第五主族 σ-hole相互作用键鞍点处的电子密度 | 第51-52页 |
4.5.3 第五主族 σ-hole相互作用键鞍点处的能量密度的拉普拉斯量以及能量密度 | 第52-54页 |
4.6 分子生成密度差(MFDD) | 第54-59页 |
4.7 结论 | 第59-61页 |
5 F···N卤键对赝 π-hole作用的加强作用 | 第61-74页 |
5.1 计算方法 | 第62页 |
5.2 赝 π-hole相互作用 | 第62-70页 |
5.2.1 静电势的分析 | 第62-28页 |
5.2.2 结构和相互作用能 | 第28-65页 |
5.2.3 NCI分析 | 第65-67页 |
5.2.4 电子密度拓扑分析 | 第67-68页 |
5.2.5 分子生成密度差分析 | 第68-70页 |
5.2.6 NBO分析 | 第70页 |
5.3 赝 π-hole相互作用在协同作用中的理论研究 | 第70-74页 |
5.3.1 静电势的分析 | 第70-71页 |
5.3.2 构型和相互作用能的分析 | 第71页 |
5.3.3 电子密度拓扑分析 | 第71-72页 |
5.3.4 分子生成密度差 | 第72-73页 |
5.3.5 NBO分析 | 第73-74页 |
5.4 结论 | 第74页 |
参考文献 | 第74-83页 |
攻读学位期间科研成果 | 第83-84页 |
致谢 | 第84页 |