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第五主族σ-hole/赝π-hole作用与卤键作用之间的协同作用研究

摘要第4-7页
Abstract第7-9页
1 综述第13-21页
    1.1 相关概念的介绍第13-14页
        1.1.1 静电势第13页
        1.1.2 σ-hole的概念第13-14页
    1.2 σ-hole作用研究现状第14-19页
        1.2.1 VIIA原子参与形成的 σ-hole作用--卤键第14-16页
        1.1.2 VIA原子参与形成的 σ-hole作用第16页
        1.2.3 VA原子参与形成的 σ-hole作用第16-17页
        1.2.4 IVA原子参与形成的 σ-hole作用第17-18页
        1.2.5 含有VA-VIIA共价原子二聚体中的 σ-hole作用第18-19页
    1.3 研究存在的问题及前景展望第19-21页
2 理论基础第21-25页
    2.1 Rayleigh – Schr?dinger微扰理论[31]第21-22页
    2.2 静电势理论第22-23页
        2.2.1 分子表面静电势第22页
        2.2.2 分子核的静电势第22-23页
    2.3 电子密度拓扑理论第23-24页
    2.4 分子生成密度差理论第24-25页
3 第五主族 σ-hole对F···O卤键的加强作用第25-41页
    3.1 计算方法第42-26页
    3.2 静电势和几何构型的分析第26-32页
        3.2.1 O=PX3···(NCF)n(X= F,Cl,Br,H,CH3;n=0,1,2)的分子静电势第26-28页
        3.2.2 结构和相互作用能第28-32页
    3.3 分子生成密度差分析(MFDD)第32-36页
    3.4 QTAIM理论分析第36-40页
        3.4.1 分子图第36-37页
        3.4.2 复合物NCF···O=PX3···(NCF)n (X = F, Cl, Br, H, CH3, n = 0, 1, 2) 中卤键键鞍点处的电子密度分析第37-39页
        3.4.3 复合物NCF···O=PX3···(NCF)n (X = F, Cl, Br, H, CH3, n = 0, 1, 2)中卤键键鞍点的能量密度的拉普拉斯量以及能量密度第39-40页
    3.5 结论第40-41页
4 Y···O和X···N卤键对第五主族 σ-hole相互作用的加强第41-61页
    4.1 计算方法第42页
    4.2 静电势的分析第42-44页
    4.3 构型和结合能第44-47页
        4.3.1 第五主族 σ-hole相互作用O=PH3···NCX第44-45页
        4.3.2 Y···O卤键对第五主族 σ-hole相互作用的加强第45-46页
        4.3.3 X···N卤键对第五主族 σ-hole相互作用的加强第46-47页
    4.4 相互作用能和分子静电势的关系第47-50页
    4.5 电子密度拓扑分析第50-54页
        4.5.1 分子图第50-51页
        4.5.2 第五主族 σ-hole相互作用键鞍点处的电子密度第51-52页
        4.5.3 第五主族 σ-hole相互作用键鞍点处的能量密度的拉普拉斯量以及能量密度第52-54页
    4.6 分子生成密度差(MFDD)第54-59页
    4.7 结论第59-61页
5 F···N卤键对赝 π-hole作用的加强作用第61-74页
    5.1 计算方法第62页
    5.2 赝 π-hole相互作用第62-70页
        5.2.1 静电势的分析第62-28页
        5.2.2 结构和相互作用能第28-65页
        5.2.3 NCI分析第65-67页
        5.2.4 电子密度拓扑分析第67-68页
        5.2.5 分子生成密度差分析第68-70页
        5.2.6 NBO分析第70页
    5.3 赝 π-hole相互作用在协同作用中的理论研究第70-74页
        5.3.1 静电势的分析第70-71页
        5.3.2 构型和相互作用能的分析第71页
        5.3.3 电子密度拓扑分析第71-72页
        5.3.4 分子生成密度差第72-73页
        5.3.5 NBO分析第73-74页
    5.4 结论第74页
参考文献第74-83页
攻读学位期间科研成果第83-84页
致谢第84页

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