| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-32页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第10页 |
| 1.2 Si-C-N体系中二元化合物Si_3N_4的研究概况 | 第10-16页 |
| 1.3 Si-C-N体系中三元化合物的研究概况 | 第16-23页 |
| 1.3.1 Si-C-N化合物的主要制备方法和性能 | 第16-19页 |
| 1.3.2 Si-C-N化合物的理论研究概况 | 第19-23页 |
| 1.4 计算机模拟和计算方法简介 | 第23-29页 |
| 1.4.1 CALYPSO软件简介 | 第23-26页 |
| 1.4.2 CASTEP软件简介 | 第26-29页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第29-30页 |
| 1.6 本章小结 | 第30-32页 |
| 第2章 基于 3C-SiC结构的Si_xC_yN_z亚稳相的第一性原理研究 | 第32-44页 |
| 2.1 引言 | 第32页 |
| 2.2 计算参数选择 | 第32-33页 |
| 2.3 基于 3C-SiC结构的Si_xC_yN_z亚稳相的第一性原理研究 | 第33-43页 |
| 2.3.1 Si_xC_yN_z结构建立 | 第33-37页 |
| 2.3.2 Si_xC_yN_z结构稳定性判定 | 第37-39页 |
| 2.3.3 SixCxN结构电子性能研究 | 第39-41页 |
| 2.3.4 SixCxN结构物理性质研究 | 第41-43页 |
| 2.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第3章 SiCN亚稳相的结构预测及性能的理论研究 | 第44-56页 |
| 3.1 引言 | 第44页 |
| 3.2 计算参数选择 | 第44-45页 |
| 3.3 SiCN亚稳相的第一性原理研究 | 第45-54页 |
| 3.3.1 SiCN结构预测 | 第45-47页 |
| 3.3.2 SiCN结构稳定性判定 | 第47-49页 |
| 3.3.3 SiCN结构电子性能研究 | 第49-51页 |
| 3.3.4 SiCN结构物理性质研究 | 第51-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第4章 Si_3N_4亚稳相的结构预测及性能的理论研究 | 第56-70页 |
| 4.1 引言 | 第56-57页 |
| 4.2 计算参数选择 | 第57页 |
| 4.3 Si_3N_4亚稳相的第一性原理研究 | 第57-69页 |
| 4.3.1 Si_3N_4结构预测 | 第57-59页 |
| 4.3.2 Si_3N_4结构稳定性判定 | 第59-64页 |
| 4.3.3 Si_3N_4结构电子性能研究 | 第64-65页 |
| 4.3.4 Si_3N_4结构物理性质研究 | 第65-69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 第5章 类 β-Si_3N_4相的氮化硅亚稳相的结构及性能的理论研究 | 第70-80页 |
| 5.1 引言 | 第70页 |
| 5.2 计算参数选择 | 第70页 |
| 5.3 Si_3N_4亚稳相的第一性原理研究 | 第70-79页 |
| 5.3.1 Si_3N_4亚稳相的结构构建 | 第70-73页 |
| 5.3.2 Si_3N_4亚稳相的稳定性研究 | 第73-75页 |
| 5.3.3 Si_3N_4亚稳相的物理性质 | 第75-79页 |
| 5.4 本章小结 | 第79-80页 |
| 结论 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-92页 |
| 攻读博士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第92-94页 |
| 致谢 | 第94页 |
