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SiGe HBT微波超宽带低噪声放大器的研究与设计

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
符号对照表第11-12页
缩略语对照表第12-15页
第一章 绪论第15-19页
    1.1 论文选题背景第15-16页
    1.2 SiGe工艺LNA研究现状第16-17页
    1.3 论文主要工作内容第17页
    1.4 论文结构组织形式第17-19页
第二章 低噪声放大器设计相关理论第19-29页
    2.1 SiGe HBT小信号模型第19-20页
    2.2 SiGe HBT噪声分析第20-26页
        2.2.1 SiGe HBT噪声源第20-21页
        2.2.2 SiGe HBT噪声模型第21-22页
        2.2.3 电路中噪声表示方法第22-26页
    2.3 散射参量和Smith圆图第26-28页
        2.3.1 散射参量第26-27页
        2.3.2 Smith圆图第27-28页
    2.4 小结第28-29页
第三章 超宽带LNA关键技术研究第29-39页
    3.1 LNA拓扑结构研究第29-32页
        3.1.1 电感射极负反馈结构第29-30页
        3.1.2 电阻负反馈结构第30-31页
        3.1.3 共基极结构第31-32页
        3.1.4 并联电容负反馈结构第32页
    3.2 宽带增益技术第32-36页
        3.2.1 并联-串联放大器第33-34页
        3.2.2 并联补偿放大器第34-35页
        3.2.3 级联放大器第35-36页
    3.3 宽带匹配技术第36-37页
    3.4 小结第37-39页
第四章 超宽带LNA电路设计分析第39-57页
    4.1 LNA主要性能参数第39-42页
    4.2 电路结构及性能分析第42-48页
        4.2.1 电路结构选择第42-43页
        4.2.2 输入匹配分析第43-44页
        4.2.3 增益优化设计第44-45页
        4.2.4 噪声特性优化第45-47页
        4.2.5 线性度分析优化第47-48页
    4.3 不同偏置方式对LNA线性度影响第48-52页
        4.3.1 电感和电阻偏置线性度分析第48-49页
        4.3.2 LNA偏置电路与电流基准第49-52页
    4.4 电路仿真结果分析第52-56页
        4.4.1 LNA仿真结果及分析第52-54页
        4.4.2 两级LNA与单级cascode结构对比第54-56页
    4.5 小结第56-57页
第五章 版图设计及电路后仿真第57-65页
    5.1 版图设计第57-59页
        5.1.1 版图设计要点第57-58页
        5.1.2 设计规则检查第58-59页
    5.2 版图优化设计及后仿真第59-64页
        5.2.1 版图优化设计第59-61页
        5.2.2 版图后仿结果及分析第61-64页
    5.3 小结第64-65页
第六章 总结与展望第65-67页
参考文献第67-71页
致谢第71-73页
作者简介第73-74页

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