| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 铟镓锌氧化物研究历史与发展前景 | 第8-12页 |
| 1.2.1 氧化物半导体材料与器件的研究 | 第9-10页 |
| 1.2.2 溶液法制备铟镓锌氧化物器件的研究 | 第10-11页 |
| 1.2.3 铟镓锌氧化物的发展现状和前景 | 第11-12页 |
| 1.3 选题依据和主要工作内容 | 第12-13页 |
| 第二章 铟镓锌氧化物结构特性与制备方法 | 第13-22页 |
| 2.1 铟镓锌氧化物结构特性 | 第13-15页 |
| 2.1.1 铟镓锌氧化物晶格结构 | 第13页 |
| 2.1.2 铟镓锌氧化物导电机制 | 第13-15页 |
| 2.2 铟镓锌氧化物薄膜的制备方法 | 第15-19页 |
| 2.2.1 磁控溅射 | 第16-17页 |
| 2.2.2 脉冲激光沉积 | 第17页 |
| 2.2.3 溶液法 | 第17-19页 |
| 2.3 铟镓锌氧化物薄膜晶体管结构 | 第19-21页 |
| 2.3.1 氧化物薄膜晶体管结构 | 第20-21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 DUV辅助高压退火处理对铟镓锌氧化物薄膜的影响 | 第22-39页 |
| 3.1 实验材料与实验设备 | 第22-28页 |
| 3.1.1 样品制备 | 第22-24页 |
| 3.1.2 热处理工艺的选定 | 第24-25页 |
| 3.1.3 薄膜的表征方法 | 第25-26页 |
| 3.1.4 模型的建立 | 第26-28页 |
| 3.2 DUV辅助退火处理温度对薄膜的影响 | 第28-34页 |
| 3.2.1 DUV辅助退火温度对薄膜微观结构的影响 | 第28-31页 |
| 3.2.2 DUV辅助退火温度对光学带隙的影响 | 第31-32页 |
| 3.2.3 讨论 | 第32-34页 |
| 3.3 DUV辅助退火处理时间对薄膜的影响 | 第34-37页 |
| 3.3.1 DUV辅助退火处理时间对薄膜微观结构的影响 | 第34-36页 |
| 3.3.2 DUV辅助退火处理时间对光学带隙的影响 | 第36-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 In含量对铟镓锌氧化物薄膜结构和特性的影响 | 第39-45页 |
| 4.1 样品制备与测量 | 第39页 |
| 4.2 In含量对薄膜的影响 | 第39-43页 |
| 4.2.1 结构和算法模型优化 | 第39-42页 |
| 4.2.2 In含量对薄膜微观结构的影响 | 第42-43页 |
| 4.2.3 In含量对薄膜光学带隙的影响 | 第43页 |
| 4.3 本章小结 | 第43-45页 |
| 第五章 主要结论与展望 | 第45-47页 |
| 5.1 主要结论 | 第45页 |
| 5.2 展望 | 第45-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 附录：作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第52页 |
