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溶液法制备IGZO薄膜及其性能的研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第一章 绪论第8-13页
    1.1 引言第8页
    1.2 铟镓锌氧化物研究历史与发展前景第8-12页
        1.2.1 氧化物半导体材料与器件的研究第9-10页
        1.2.2 溶液法制备铟镓锌氧化物器件的研究第10-11页
        1.2.3 铟镓锌氧化物的发展现状和前景第11-12页
    1.3 选题依据和主要工作内容第12-13页
第二章 铟镓锌氧化物结构特性与制备方法第13-22页
    2.1 铟镓锌氧化物结构特性第13-15页
        2.1.1 铟镓锌氧化物晶格结构第13页
        2.1.2 铟镓锌氧化物导电机制第13-15页
    2.2 铟镓锌氧化物薄膜的制备方法第15-19页
        2.2.1 磁控溅射第16-17页
        2.2.2 脉冲激光沉积第17页
        2.2.3 溶液法第17-19页
    2.3 铟镓锌氧化物薄膜晶体管结构第19-21页
        2.3.1 氧化物薄膜晶体管结构第20-21页
    2.4 本章小结第21-22页
第三章 DUV辅助高压退火处理对铟镓锌氧化物薄膜的影响第22-39页
    3.1 实验材料与实验设备第22-28页
        3.1.1 样品制备第22-24页
        3.1.2 热处理工艺的选定第24-25页
        3.1.3 薄膜的表征方法第25-26页
        3.1.4 模型的建立第26-28页
    3.2 DUV辅助退火处理温度对薄膜的影响第28-34页
        3.2.1 DUV辅助退火温度对薄膜微观结构的影响第28-31页
        3.2.2 DUV辅助退火温度对光学带隙的影响第31-32页
        3.2.3 讨论第32-34页
    3.3 DUV辅助退火处理时间对薄膜的影响第34-37页
        3.3.1 DUV辅助退火处理时间对薄膜微观结构的影响第34-36页
        3.3.2 DUV辅助退火处理时间对光学带隙的影响第36-37页
    3.4 本章小结第37-39页
第四章 In含量对铟镓锌氧化物薄膜结构和特性的影响第39-45页
    4.1 样品制备与测量第39页
    4.2 In含量对薄膜的影响第39-43页
        4.2.1 结构和算法模型优化第39-42页
        4.2.2 In含量对薄膜微观结构的影响第42-43页
        4.2.3 In含量对薄膜光学带隙的影响第43页
    4.3 本章小结第43-45页
第五章 主要结论与展望第45-47页
    5.1 主要结论第45页
    5.2 展望第45-47页
致谢第47-48页
参考文献第48-52页
附录:作者在攻读硕士学位期间发表的论文第52页

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