| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-23页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 金属氧化物半导体(MOS)气敏传感器 | 第8-9页 |
| 1.3 金属氧化物半导体气敏机理 | 第9-12页 |
| 1.3.1 氧离子化理论 | 第9-11页 |
| 1.3.2 晶界势垒理论 | 第11页 |
| 1.3.3 表面电导(氧空位)理论 | 第11-12页 |
| 1.4 改善金属氧化物半导体气敏性能的途径 | 第12-16页 |
| 1.4.1 气敏材料微观结构控制 | 第12-13页 |
| 1.4.2 贵金属表面修饰 | 第13-14页 |
| 1.4.3 金属及氧化物掺杂 | 第14-16页 |
| 1.5 氧化铟纳米材料 | 第16-21页 |
| 1.5.1 氧化铟基本性质 | 第16-17页 |
| 1.5.2 氧化铟纳米材料制备 | 第17-19页 |
| 1.5.3 氧化铟气敏材料的研究现状 | 第19-20页 |
| 1.5.4 氧化铟气敏材料发展遇到的问题 | 第20-21页 |
| 1.6 本论文研究的目的、意义及主要内容 | 第21-23页 |
| 1.6.1 研究的目的、意义 | 第21-22页 |
| 1.6.2 本论文主要工作内容 | 第22-23页 |
| 第2章 实验试剂及实验方法 | 第23-30页 |
| 2.1 实验试剂与仪器设备 | 第23-24页 |
| 2.2 研究方案 | 第24-25页 |
| 2.3 Pd-In_2O_3的制备 | 第25-26页 |
| 2.4 产物的表征 | 第26-27页 |
| 2.5 气敏元件的制备及其气敏测试 | 第27-30页 |
| 第3章 类纳米线网状Pd-In_2O_3制备与表征 | 第30-41页 |
| 3.1 CNTs的改性与化学镀铟 | 第30-31页 |
| 3.2 Pd-In/CNTs的氧化和热处理 | 第31-35页 |
| 3.3 无Pd负载In_2O_3的制备 | 第35-36页 |
| 3.4 类纳米线网状Pd-In_2O_3的表征 | 第36-39页 |
| 3.4.1 EDS与XPS表征 | 第36-37页 |
| 3.4.2 SEM与XRD表征 | 第37-38页 |
| 3.4.3 BET表征 | 第38-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-41页 |
| 第4章 类纳米线Pd-In_2O_3气敏性能表征 | 第41-51页 |
| 4.1 气敏性能测试 | 第41-48页 |
| 4.2 气敏机理 | 第48-50页 |
| 4.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第5章 全文总结与展望 | 第51-53页 |
| 5.1 全文总结 | 第51-52页 |
| 5.2 展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-60页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |