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表面等离激元增强氮化硅基MIS器件的电致发光

摘要第1-7页
Abstract第7-8页
目录第8-11页
第一章 引言第11-19页
   ·研究意义和背景第11-14页
   ·硅的光学性质第14-16页
   ·硅基光电子材料的研究进展第16-19页
第二章 文献综述第19-47页
   ·非晶氮化硅薄膜发光的研究进展第19-30页
     ·氮化硅薄膜的能带结构第19-20页
     ·氮化硅薄膜的光致发光第20-25页
       ·来自带间跃迁的发光第20-21页
       ·来自缺陷能级的发光第21-22页
       ·来自硅纳米晶的发光第22-25页
     ·基于氮化硅薄膜的电致发光器件第25-30页
       ·基于SiN_x带间跃迁的电致发光器件第25-26页
       ·基于SiN_x发光中心的电致发光器件第26-28页
       ·基于Si量子点的电致发光器件第28-30页
   ·增强器件发光效率的方法及研究进展第30-33页
     ·优化器件的电极材料第30-32页
     ·表面织构提高器件光抽取效率第32-33页
   ·表面等离激元增强硅基发光的研究进展第33-47页
     ·表面等离激元的基本特性第33-35页
     ·表面等离激元的激发第35-37页
     ·局域表面等离激元第37-39页
     ·表面等离激元增强发光的机理第39-42页
     ·表面等离激元在增强发光中的应用第42-47页
第三章 器件制备与表征设备第47-53页
   ·等离子增强化学气相沉积系统第47-48页
   ·直流磁控溅射与电子束蒸发设备第48-49页
   ·热处理设备第49-50页
   ·各类测试设备第50-53页
第四章 SiN_x薄膜的制备及光学性能表征第53-65页
   ·SiN_x薄膜的制备第53-57页
     ·等离子增强化学气相沉积的原理第53-56页
     ·SiN_x的制备第56-57页
   ·SiN_x薄膜的光学性能第57-63页
     ·SiN_x的折射率与消光系数第57-58页
     ·SiN_x的光学禁带宽度第58-61页
     ·SiN_x的发光性能第61-63页
   ·本章小结第63-65页
第五章 银表面等离激元增强SiN_x MIS器件电致发光Ⅰ第65-93页
   ·引言第65-66页
   ·实验流程第66-68页
     ·样品制备第66-67页
     ·样品测试第67-68页
   ·实验结果与讨论第68-93页
     ·银岛膜的表面形貌第68-69页
     ·银岛膜对N1样品的电致发光的影响第69-82页
       ·样品的电致发光谱分析第69-71页
       ·银岛膜增强SiN_x电致发光的机理第71-79页
       ·银岛膜对SiN_x电致发光峰位的影响第79-82页
     ·银岛膜对N3样品的电致发光的影响第82-91页
       ·样品的电致发光谱分析第82-84页
       ·银岛膜增强SiN_x电致发光的机理第84-90页
       ·银岛膜对SiN_x电致发光峰位的影响第90-91页
     ·本章小结第91-93页
第六章 银表面等离激元增强SiN_x MIS器件电致发光Ⅱ第93-115页
   ·引言第93-94页
   ·实验流程第94-96页
     ·样品制备第94-95页
     ·样品测试第95-96页
   ·实验结果与讨论第96-115页
     ·对N1器件的分析第96-105页
       ·Ag岛膜表面形貌第96-97页
       ·器件的电致发光谱第97-98页
       ·银岛膜对器件发光强度的影响第98-99页
       ·银岛膜增强器件发光强度的机理第99-105页
       ·银岛膜增强器件发光强度的机理总结第105页
     ·对N3器件的分析第105-113页
       ·Ag岛膜表面形貌第105-106页
       ·器件的电致发光谱第106-108页
       ·银岛膜对器件发光强度的影响第108页
       ·银岛膜增强器件发光强度的机理第108-113页
       ·银岛膜增强器件发光强度的机理总结第113页
     ·本章总结第113-115页
第七章 全文总结第115-117页
   ·主要结论第115-117页
参考文献第117-127页
致谢第127-129页
个人简历第129-131页
攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它成就第131页

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