摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
目录 | 第8-11页 |
第一章 引言 | 第11-19页 |
·研究意义和背景 | 第11-14页 |
·硅的光学性质 | 第14-16页 |
·硅基光电子材料的研究进展 | 第16-19页 |
第二章 文献综述 | 第19-47页 |
·非晶氮化硅薄膜发光的研究进展 | 第19-30页 |
·氮化硅薄膜的能带结构 | 第19-20页 |
·氮化硅薄膜的光致发光 | 第20-25页 |
·来自带间跃迁的发光 | 第20-21页 |
·来自缺陷能级的发光 | 第21-22页 |
·来自硅纳米晶的发光 | 第22-25页 |
·基于氮化硅薄膜的电致发光器件 | 第25-30页 |
·基于SiN_x带间跃迁的电致发光器件 | 第25-26页 |
·基于SiN_x发光中心的电致发光器件 | 第26-28页 |
·基于Si量子点的电致发光器件 | 第28-30页 |
·增强器件发光效率的方法及研究进展 | 第30-33页 |
·优化器件的电极材料 | 第30-32页 |
·表面织构提高器件光抽取效率 | 第32-33页 |
·表面等离激元增强硅基发光的研究进展 | 第33-47页 |
·表面等离激元的基本特性 | 第33-35页 |
·表面等离激元的激发 | 第35-37页 |
·局域表面等离激元 | 第37-39页 |
·表面等离激元增强发光的机理 | 第39-42页 |
·表面等离激元在增强发光中的应用 | 第42-47页 |
第三章 器件制备与表征设备 | 第47-53页 |
·等离子增强化学气相沉积系统 | 第47-48页 |
·直流磁控溅射与电子束蒸发设备 | 第48-49页 |
·热处理设备 | 第49-50页 |
·各类测试设备 | 第50-53页 |
第四章 SiN_x薄膜的制备及光学性能表征 | 第53-65页 |
·SiN_x薄膜的制备 | 第53-57页 |
·等离子增强化学气相沉积的原理 | 第53-56页 |
·SiN_x的制备 | 第56-57页 |
·SiN_x薄膜的光学性能 | 第57-63页 |
·SiN_x的折射率与消光系数 | 第57-58页 |
·SiN_x的光学禁带宽度 | 第58-61页 |
·SiN_x的发光性能 | 第61-63页 |
·本章小结 | 第63-65页 |
第五章 银表面等离激元增强SiN_x MIS器件电致发光Ⅰ | 第65-93页 |
·引言 | 第65-66页 |
·实验流程 | 第66-68页 |
·样品制备 | 第66-67页 |
·样品测试 | 第67-68页 |
·实验结果与讨论 | 第68-93页 |
·银岛膜的表面形貌 | 第68-69页 |
·银岛膜对N1样品的电致发光的影响 | 第69-82页 |
·样品的电致发光谱分析 | 第69-71页 |
·银岛膜增强SiN_x电致发光的机理 | 第71-79页 |
·银岛膜对SiN_x电致发光峰位的影响 | 第79-82页 |
·银岛膜对N3样品的电致发光的影响 | 第82-91页 |
·样品的电致发光谱分析 | 第82-84页 |
·银岛膜增强SiN_x电致发光的机理 | 第84-90页 |
·银岛膜对SiN_x电致发光峰位的影响 | 第90-91页 |
·本章小结 | 第91-93页 |
第六章 银表面等离激元增强SiN_x MIS器件电致发光Ⅱ | 第93-115页 |
·引言 | 第93-94页 |
·实验流程 | 第94-96页 |
·样品制备 | 第94-95页 |
·样品测试 | 第95-96页 |
·实验结果与讨论 | 第96-115页 |
·对N1器件的分析 | 第96-105页 |
·Ag岛膜表面形貌 | 第96-97页 |
·器件的电致发光谱 | 第97-98页 |
·银岛膜对器件发光强度的影响 | 第98-99页 |
·银岛膜增强器件发光强度的机理 | 第99-105页 |
·银岛膜增强器件发光强度的机理总结 | 第105页 |
·对N3器件的分析 | 第105-113页 |
·Ag岛膜表面形貌 | 第105-106页 |
·器件的电致发光谱 | 第106-108页 |
·银岛膜对器件发光强度的影响 | 第108页 |
·银岛膜增强器件发光强度的机理 | 第108-113页 |
·银岛膜增强器件发光强度的机理总结 | 第113页 |
·本章总结 | 第113-115页 |
第七章 全文总结 | 第115-117页 |
·主要结论 | 第115-117页 |
参考文献 | 第117-127页 |
致谢 | 第127-129页 |
个人简历 | 第129-131页 |
攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它成就 | 第131页 |