| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-31页 |
| ·引言 | 第11-14页 |
| ·新型非易失性存储器 | 第14-18页 |
| ·磁阻存储器 | 第14页 |
| ·阻变存储器 | 第14-15页 |
| ·铁电存储器 | 第15-17页 |
| ·相变存储器 | 第17-18页 |
| ·浮栅型存储器 | 第18-21页 |
| ·工作原理 | 第19-20页 |
| ·典型结构 | 第20-21页 |
| ·CTM研究意义 | 第21-23页 |
| ·本文的工作安排 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-31页 |
| 第二章 电荷俘获存储器概述 | 第31-53页 |
| ·CTM发展史 | 第31-34页 |
| ·CTM工作原理 | 第34-35页 |
| ·CTM编程擦除机制 | 第35-37页 |
| ·量子隧穿 | 第35-36页 |
| ·热电子注入 | 第36-37页 |
| ·俘获层材料研究 | 第37-42页 |
| ·传统的俘获层材料 | 第37-38页 |
| ·俘获层Si_3N_4材料改进 | 第38-40页 |
| ·高k材料俘获层 | 第40-42页 |
| ·性能参数及提升方法 | 第42-44页 |
| ·性能参数 | 第42-43页 |
| ·提升方法 | 第43-44页 |
| ·本文的研究方法 | 第44-47页 |
| ·第一性原理及密度泛函理论 | 第44-45页 |
| ·VASP简介 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-53页 |
| 第三章 杂质Al对俘获层中氧空位影响研究 | 第53-76页 |
| ·计算方法 | 第54页 |
| ·理论模型 | 第54-60页 |
| ·氧空位形成能 | 第56-58页 |
| ·相互作用能 | 第58-60页 |
| ·数据保持特性 | 第60-65页 |
| ·电荷俘获能 | 第60-61页 |
| ·Bader电荷 | 第61-63页 |
| ·态密度与能带结构 | 第63-64页 |
| ·量子态数 | 第64-65页 |
| ·耐擦写性分析 | 第65-71页 |
| ·能量计算 | 第65-67页 |
| ·结构比较 | 第67-71页 |
| ·本章小结 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-76页 |
| 第四章 缺陷距离及浓度对CTM性能影响研究 | 第76-98页 |
| ·Al和Vo_3共掺杂时缺陷距离对CTM数据保持特性研究 | 第77-87页 |
| ·结构模型 | 第77页 |
| ·计算结果分析讨论 | 第77-86页 |
| ·结语 | 第86-87页 |
| ·Al浓度变化对HfO_2俘获层可靠性影响研究 | 第87-90页 |
| ·电荷俘获能 | 第87-88页 |
| ·能带偏移值 | 第88-90页 |
| ·Al浓度变化和Vo共掺杂对器件数据保持特性的影响 | 第90-94页 |
| ·体系模型 | 第91页 |
| ·氧空位形成能 | 第91-92页 |
| ·电荷俘获能 | 第92-94页 |
| ·本章小结 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-98页 |
| 第五章 HfO_2/SiO_2界面特性研究 | 第98-107页 |
| ·界面模型 | 第98-100页 |
| ·优化结果 | 第100-101页 |
| ·界面间隙态 | 第101-104页 |
| ·本章小结 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-107页 |
| 第六章 总结与展望 | 第107-109页 |
| ·本文工作总结 | 第107-108页 |
| ·展望 | 第108-109页 |
| 致谢 | 第109-111页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第111页 |