| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·半导体产业的发展现状及趋势 | 第10-11页 |
| ·低维半导体结构简介 | 第11-14页 |
| ·低维半导体结构 | 第11页 |
| ·量子阱的原理、结构、分类和应用 | 第11-13页 |
| ·超晶格的结构、原理、分类和应用 | 第13-14页 |
| ·量子阱中激子简介 | 第14-16页 |
| ·异质结 | 第16-19页 |
| ·PN 结的概念及应用 | 第16页 |
| ·异质结的概念、生长方法及应用 | 第16-19页 |
| ·半导体中的杂质 | 第19-22页 |
| 第二章 理论计算方法简介 | 第22-28页 |
| ·闪锌矿和纤锌矿晶体结构简介 | 第22-24页 |
| ·有效质量简介 | 第24-25页 |
| ·变分原理简介 | 第25-26页 |
| ·内建电场简介 | 第26页 |
| ·半导体带隙简介 | 第26-28页 |
| 第三章 直接带隙 Ge/Si_(1-x)Ge_x量子阱中激子态和带间光跃迁 | 第28-38页 |
| ·研究背景及现状 | 第28页 |
| ·理论计算模型 | 第28-30页 |
| ·计算结果分析和讨论 | 第30-35页 |
| ·结论 | 第35-38页 |
| 第四章 直接带隙 ZnO/Be_xZn_(1-xO )量子阱中激子态和带间光跃迁 | 第38-48页 |
| ·研究背景及现状 | 第38-39页 |
| ·理论计算模型 | 第39-40页 |
| ·计算结果分析和讨论 | 第40-46页 |
| ·结论 | 第46-48页 |
| 第五章 结论 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第57-58页 |