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Bi、Se、Te吸附对n/p型石墨烯电子结构影响的研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-10页
第一章 绪论第10-22页
   ·石墨烯概述第10-12页
   ·石墨烯材料的制备第12-15页
   ·石墨烯的物理性质第15-17页
   ·石墨烯的磁性第17-18页
   ·石墨烯的应用及前景第18-20页
   ·主要研究内容第20-22页
第二章 理论基础和计算方法第22-34页
   ·密度泛函理论第22-28页
     ·Thomas-Fermi 模型第23-24页
     ·Hohenberg-Kohn 定理第24页
     ·Kohn-Sham 方程第24-26页
     ·交换相关能量泛函(局域密度近似 LDA 和广义梯度近似 GGA)第26-28页
   ·布洛赫定理和超原胞模型第28-30页
     ·布洛赫定理第28-29页
     ·超原胞模型第29-30页
   ·赝势方法第30-32页
   ·VASP 程序包第32-34页
第三章 Bi、Se、Te 在完整和空位缺陷石墨烯上的吸附研究第34-40页
   ·前言第34-35页
   ·计算模型和方法第35-36页
   ·Bi、Se、Te 在完整和空位缺陷石墨烯上的吸附第36-39页
     ·原子结构研究第36-37页
     ·态密度分布第37页
     ·电荷分布第37-39页
   ·本章小结第39-40页
第四章 Bi、Se、Te 吸附对 n/p 型石墨烯的影响第40-48页
   ·前言第40页
   ·计算模型和方法第40-41页
   ·Bi、Se、Te 在 B、N 掺杂石墨烯上的吸附第41-45页
     ·原子结构第41页
     ·态密度分布第41-43页
     ·电荷分布第43-45页
   ·本章小结第45-48页
第五章 总结与展望第48-50页
参考文献第50-58页
致谢第58-60页
攻读硕士学位期间的科研成果第60-61页

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