| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-19页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·ZnO薄膜的晶体结构和性能与应用 | 第10-13页 |
| ·ZnO薄膜的晶体结构 | 第10-11页 |
| ·ZnO薄膜的基本性质 | 第11页 |
| ·光电方面的应用 | 第11-12页 |
| ·压电方面的应用 | 第12页 |
| ·气敏方面的应用 | 第12-13页 |
| ·压敏方面的应用 | 第13页 |
| ·ZnO的缺陷与掺杂 | 第13-17页 |
| ·ZnO的本征缺陷 | 第13-15页 |
| ·ZnO的n型掺杂 | 第15页 |
| ·ZnO的p型掺杂 | 第15-16页 |
| ·施主-受主共掺杂概述 | 第16-17页 |
| ·本文的研究内容 | 第17-19页 |
| 第2章 ZnO薄膜的制备方法及性能表征手段 | 第19-31页 |
| ·ZnO薄膜的制备方法 | 第19-21页 |
| ·金属有机化学气相沉积(MOCVD) | 第19-20页 |
| ·溶胶一凝胶法(sol-gel) | 第20页 |
| ·喷雾热解方法(spray pyrolysis) | 第20页 |
| ·脉冲激光沉积法(PLD) | 第20-21页 |
| ·分子束外延法(MBE) | 第21页 |
| ·磁控溅射 | 第21-26页 |
| ·磁控溅射法概述 | 第21-22页 |
| ·磁控溅射原理 | 第22-23页 |
| ·磁控溅射的基本过程 | 第23-24页 |
| ·磁控溅射沉积的分类 | 第24-25页 |
| ·多靶磁控溅射技术 | 第25页 |
| ·辉光放电原理 | 第25-26页 |
| ·ZnO薄膜的性能表征手段 | 第26-30页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第26-28页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第28页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第28-29页 |
| ·霍尔效应测试(Hall) | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 ZnO薄膜的制备与生长取向研究 | 第31-38页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·ZnO薄膜的制备 | 第31-33页 |
| ·实验装置 | 第31-32页 |
| ·衬底的预处理 | 第32页 |
| ·ZnO薄膜制备的流程 | 第32-33页 |
| ·ZrO薄膜制备及结果与讨论 | 第33-37页 |
| ·不同衬底温度对ZnO薄膜生长取向的影响 | 第33-35页 |
| ·不同溅射功率对ZnO薄膜生长取向的影响 | 第35-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 第4章 Al-N共掺杂氧化锌薄膜的制备及表征 | 第38-53页 |
| ·引言 | 第38-39页 |
| ·不同衬底温度下Al-N共掺杂ZnO薄膜的制备 | 第39-44页 |
| ·衬底温度对表面形貌的影响 | 第40-41页 |
| ·衬底温度对薄膜结构的影响 | 第41-43页 |
| ·衬底温度对薄膜电学性能的影响 | 第43-44页 |
| ·不同溅射功率下Al-N共掺杂氧化锌薄膜的制备 | 第44-48页 |
| ·溅射功率对薄膜表面形貌的影响 | 第45-46页 |
| ·溅射功率对薄膜结构的影响 | 第46-47页 |
| ·溅射功率对薄膜电学性能的影响 | 第47-48页 |
| ·不同氮气流量下ZnO薄膜的制备 | 第48-51页 |
| ·氮气流量对ZnO薄膜表面形貌的影响 | 第49-50页 |
| ·氮气流量对ZnO薄膜结构性能的影响 | 第50-51页 |
| ·氮气流量对ZnO薄膜电学性能的影响 | 第51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第5章 相同溅射条件下掺杂与非掺杂ZnO薄膜的对比分析 | 第53-59页 |
| ·引言 | 第53页 |
| ·Al-N共掺杂ZnO薄膜与纯ZnO薄膜的制备 | 第53-54页 |
| ·Al-N共掺杂ZnO薄膜与纯ZnO薄膜AFM测试对比 | 第54-55页 |
| ·Al-N共掺杂ZnO薄膜与纯ZnO薄膜XRD测试对比 | 第55-56页 |
| ·Al-N共掺杂ZnO薄膜与纯ZnO薄膜hall测试对比 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 结论 | 第59-62页 |
| 参考文献 | 第62-71页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
