微光子集成芯片的关键工艺研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| ·课题背景 | 第8-9页 |
| ·研究现状 | 第9-13页 |
| ·分路器的分类 | 第9-11页 |
| ·分路器的性能指标 | 第11-12页 |
| ·分路器的制作技术 | 第12-13页 |
| ·论文工作内容及章节安排 | 第13-14页 |
| 第2章 分路器的工作原理与仿真设计 | 第14-29页 |
| ·光束传播法 | 第14-16页 |
| ·光纤-波导端面耦合模型与理论 | 第16-20页 |
| ·单模光纤中电磁场分布 | 第16-17页 |
| ·单模光纤模场分布的Gauss表示 | 第17-18页 |
| ·Gauss模场的偏移与倾斜 | 第18页 |
| ·倾斜Gauss模场的传播 | 第18-19页 |
| ·波导模场分布 | 第19页 |
| ·耦合损耗计算 | 第19-20页 |
| ·耦合损耗随对精度的变化规律 | 第20-23页 |
| ·输入/输出波导模场转换结构优化设计 | 第23-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 分路器的设计 | 第29-39页 |
| ·Y分支分路器的损耗分析 | 第29-31页 |
| ·过渡波导区优化目标与波导结构 | 第31-34页 |
| ·过渡波导区优化目标设定 | 第31-33页 |
| ·过渡波导结构定义 | 第33-34页 |
| ·单峰模场匹配法 | 第34-36页 |
| ·双峰模场匹配法 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 Y分支分路器的关键工艺研究 | 第39-60页 |
| ·SiO_2薄膜制备简介 | 第39-40页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积 | 第40-43页 |
| ·等离子体的基本性质 | 第40-41页 |
| ·设备原理简介 | 第41-43页 |
| ·二氧化硅薄膜生长实验 | 第43-51页 |
| ·下包层二氧化硅薄膜生长 | 第43-47页 |
| ·BPSG上包层生长与退火 | 第47-51页 |
| ·二氧化硅波导结构的制作 | 第51-56页 |
| ·光刻工艺优化 | 第51-53页 |
| ·ICP刻蚀工艺研究 | 第53-56页 |
| ·薄膜退火应力优化 | 第56-59页 |
| ·薄膜应力简介 | 第56-57页 |
| ·石英玻璃退火工艺优化 | 第57-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 第5章 分路器的制作与测试系统的搭建 | 第60-67页 |
| ·分路器制备工艺流程 | 第60-64页 |
| ·Y分路器的测试系统搭建 | 第64-66页 |
| ·小结 | 第66-67页 |
| 总结 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
