| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·概述 | 第10页 |
| ·Ga_2O_3的性质 | 第10-12页 |
| ·β-Ga_2O_3结构特点 | 第11-12页 |
| ·β-Ga_2O_3的电学和光学性质及应用前景 | 第12页 |
| ·Ga_2O_3材料的研究现状 | 第12-15页 |
| ·本论文研究的目的和意义 | 第15-17页 |
| 参考文献 | 第17-20页 |
| 第二章 试验方法及原理 | 第20-31页 |
| ·薄膜沉积技术 | 第20-23页 |
| ·激光分子束外延生长 | 第20页 |
| ·激光分子束外延生长机理 | 第20-21页 |
| ·激光分子束外延生长的优点 | 第21-22页 |
| ·本文所使用的激光分子束外延设备 | 第22-23页 |
| ·反射式高能电子衍射仪（RHEED） | 第23页 |
| ·薄膜沉积的原理 | 第23-25页 |
| ·薄膜沉积的成核过程 | 第23-24页 |
| ·薄膜的生长模式 | 第24-25页 |
| ·薄膜样品的表征手段 | 第25-28页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第25-26页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第26-27页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第27页 |
| ·X 射线能量色散谱（EDS） | 第27页 |
| ·紫外吸收谱 | 第27-28页 |
| ·光致发光谱（PL 谱） | 第28页 |
| ·拉曼谱 | 第28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-31页 |
| 第三章 Ga_2O_3薄膜的制备和表征 | 第31-42页 |
| ·概论 | 第31页 |
| ·实验室 L-MBE 法生长β-Ga_2O_3薄膜 | 第31-32页 |
| ·薄膜制备的前期准备 | 第31-32页 |
| ·L-MBE 法制备薄膜的实验过程 | 第32页 |
| ·L-MBE 法生长β-Ga_2O_3薄膜试验参数探究 | 第32-36页 |
| ·衬底温度对薄膜生长的影响 | 第33-34页 |
| ·反应气压对薄膜生长的影响 | 第34-35页 |
| ·靶基距对薄膜生长的影响 | 第35-36页 |
| ·退火对薄膜生长的影响 | 第36页 |
| ·β-Ga_2O_3薄膜的制备和表征 | 第36-39页 |
| ·蓝宝石衬底的 XRD 和 RHEED 图片分析 | 第36-37页 |
| ·β-Ga_2O_3薄膜制备 | 第37页 |
| ·β-Ga_2O_3薄膜的 RHEED 图和 XRD 衍射图 | 第37-38页 |
| ·β-Ga_2O_3薄膜的光学特性 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 参考文献 | 第41-42页 |
| 第四章 基于 Ni 掺杂的β-Ga_2O_3的第一性原理的计算 | 第42-50页 |
| ·概述 | 第42页 |
| ·第一性原理 | 第42-43页 |
| ·模型的构建 | 第42页 |
| ·计算方法 | 第42-43页 |
| ·计算结果分析 | 第43-48页 |
| ·晶体结构分析 | 第43-44页 |
| ·能带结构和态密度分析 | 第44-46页 |
| ·光学性能分析 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 第五章 掺 Ni 的β-Ga_2O_3异质外延薄膜的制备与表征 | 第50-59页 |
| ·薄膜制备 | 第50-51页 |
| ·薄膜样品的表征 | 第51-57页 |
| ·样品的表面形貌 | 第51页 |
| ·样品的扫描电镜能谱分析 | 第51-53页 |
| ·样品的 X 射线衍射谱分析 | 第53-54页 |
| ·样品的光学特性 | 第54-56页 |
| ·样品的拉曼谱 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
| 第六章 β-Ga_2O_3薄膜的紫外光敏特性的研究 | 第59-64页 |
| ·概述 | 第59页 |
| ·光电探测器的工作原理和相关参数 | 第59-60页 |
| ·工作原理 | 第59页 |
| ·光电探测器的相关参数 | 第59-60页 |
| ·β-Ga_2O_3光电探测器的制备和性能测试 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-64页 |
| 第七章 结论 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 硕士期间研究成果 | 第66页 |
