| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-29页 |
| ·研究背景和意义 | 第13页 |
| ·三代管为代表的半导体像增强器 | 第13-26页 |
| ·半导体光电阴极 | 第13-19页 |
| ·光电发射原理 | 第14-16页 |
| ·响应特性 | 第16-19页 |
| ·三代管 | 第19-25页 |
| ·阴极结构的设计特点 | 第20页 |
| ·三代管的制作过程 | 第20-25页 |
| ·变像管高速分幅相机 | 第25-26页 |
| ·本论文的工作 | 第26-29页 |
| 第二章 大梯度指数掺杂 GaAs 光电阴极的量子效率及空间分辨力理论研究 | 第29-55页 |
| ·大梯度指数掺杂 GaAs 光电阴极的结构设计 | 第29-32页 |
| ·大梯度指数掺杂 GaAs 光电阴极的电子分布及逸出几率 | 第32-44页 |
| ·大梯度指数掺杂 GaAs 光电阴极量子效率的计算 | 第44-47页 |
| ·电子输运的理论分析 | 第44-46页 |
| ·电子输运过程的仿真与讨论 | 第46-47页 |
| ·大梯度指数掺杂 GaAs 光电阴极的空间分辨率特性 | 第47-50页 |
| ·大梯度指数掺杂阴极的 MTF | 第48-50页 |
| ·仿真与讨论 | 第50页 |
| ·亚微米级大梯度指数掺杂 GaAs 光电阴极的量子效率和空间分辨率特性 | 第50-54页 |
| ·表面逸出几率 | 第51-52页 |
| ·量子效率 | 第52-53页 |
| ·空间分辨率 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第三章 大梯度指数掺杂透射式 GaAs 光电阴极的时间响应理论分析 | 第55-71页 |
| ·新 GaAs 光电阴极瞬态响应的理论分析 | 第56-64页 |
| ·非稳态条件下的连续性方程 | 第56-58页 |
| ·平均时间衰减常数 | 第58-60页 |
| ·非稳态响应的数值模拟和讨论（>0.5μm） | 第60-64页 |
| ·平均时间衰减常数的仿真分析（>0.5μm） | 第60-62页 |
| ·大梯度掺杂 GaAs 光电阴极的时间响应分析 | 第62-64页 |
| ·本节小结 | 第64页 |
| ·亚微米级新 GaAs 光电阴极的瞬态响应分析 | 第64-68页 |
| ·速度过冲下的光电子输运方程 | 第64-66页 |
| ·速度过冲下的时间响应分析 | 第66-68页 |
| ·平均时间衰减常数的仿真分析（《0.5μm） | 第66页 |
| ·时间响应仿真曲线（《0.5μm） | 第66-68页 |
| ·本节小结 | 第68页 |
| ·超短光脉冲下的远场辐射 | 第68-70页 |
| ·数值模拟和讨论 | 第69-70页 |
| ·本节小结 | 第70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第四章 GaAs 外延层的高分辨 X 射线衍射表征 | 第71-93页 |
| ·高分辨 X 射线衍射仪 | 第71-74页 |
| ·XRD 衍射技术 | 第74-78页 |
| ·非对称衍射 | 第74-76页 |
| ·X 衍射分析的基本方法 | 第76-78页 |
| ·GaAs 外延片的设计与高分辨 XRD 测量 | 第78-79页 |
| ·GaAs 外延片的设计 | 第78-79页 |
| ·高分辨 XRD 测量 | 第79页 |
| ·完全应变和完全弛豫 | 第79-83页 |
| ·应变分析的原理 | 第80-81页 |
| ·外延层的应变分析 | 第81-83页 |
| ·GaAlAs 的非对称 X 射线衍射分析 | 第83-88页 |
| ·Al 含量分析原理 | 第83-84页 |
| ·GaAlAs 中 Al 含量的分析 | 第84-88页 |
| ·应力分析 | 第88-91页 |
| ·外延层的应力分析 | 第89-91页 |
| ·本章小结 | 第91-93页 |
| 第五章 GaAs 与玻璃窗粘接新工艺的探索 | 第93-111页 |
| ·改进型粘接工艺中的真空镀膜 | 第94-97页 |
| ·薄膜蒸镀 | 第94-95页 |
| ·膜厚测量原理 | 第95-97页 |
| ·称重法 | 第95-96页 |
| ·干涉法 | 第96-97页 |
| ·台阶仪测量法 | 第97页 |
| ·网格电极的制作工艺简介 | 第97-100页 |
| ·常规法 | 第98页 |
| ·Lift-off 法 | 第98-99页 |
| ·网格电极的台阶仪表征 | 第99-100页 |
| ·GaAs 阴极组件新粘接工艺的探索 | 第100-107页 |
| ·新粘接工艺探索 | 第101页 |
| ·扩散炉加热粘接工艺 | 第101-102页 |
| ·真空组件加热粘接工艺 | 第102-107页 |
| ·真空定位粘接设备的组建 | 第102-105页 |
| ·加热粘接过程 | 第105-106页 |
| ·本节小结 | 第106-107页 |
| ·外延片的减薄刻蚀 | 第107-108页 |
| ·GaAs 表面化学刻蚀 | 第108-109页 |
| ·二次真空镀膜、管体焊封和连线焊接过程 | 第109-110页 |
| ·本章小结 | 第110-111页 |
| 第六章 GaAs 阴极的 Cs：O 激活及铟封工艺 | 第111-123页 |
| ·激活工艺过程 | 第111-118页 |
| ·超高真空度的获得 | 第111页 |
| ·热清洁方法 | 第111-112页 |
| ·热清洁温度的控制 | 第112-114页 |
| ·原子级清洁表面 | 第114-115页 |
| ·内部电加热下的表面热清洁过程 | 第115页 |
| ·Cs：O 激活过程 | 第115-118页 |
| ·Cs 源 | 第115-116页 |
| ·Cs 源的去气实验 | 第116页 |
| ·O2源 | 第116-117页 |
| ·激活过程 | 第117-118页 |
| ·实验过程分析 | 第118页 |
| ·转移铟封工艺过程 | 第118-121页 |
| ·热铟封的前期准备 | 第119页 |
| ·热铟封过程 | 第119-121页 |
| ·本章小结 | 第121-123页 |
| 总结与建议 | 第123-125页 |
| 1. 总结 | 第123-124页 |
| 2. 建议 | 第124-125页 |
| 参考文献 | 第125-137页 |
| 作者简历及在学期间发表的学术论文和与研究成果 | 第137页 |
