| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-26页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·相变存储材料 | 第10-15页 |
| ·拓扑绝缘体材料 | 第15-21页 |
| ·密度泛函理论 | 第21-23页 |
| ·本文的研究内容及结构安排 | 第23-26页 |
| 2 铋碲基相变材料的制备 | 第26-45页 |
| ·引言 | 第26-27页 |
| ·硫系化合物Bi_2Te_3薄膜材料的制备工艺 | 第27-32页 |
| ·Bi_2Te_3薄膜材料的结构特点 | 第32-36页 |
| ·铋碲基相变薄膜材料的制备 | 第36-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 3 硅掺杂铋碲基薄膜的材料特性和结构特征 | 第45-60页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·硅掺杂的铋碲基材料材料特性 | 第46-52页 |
| ·硅掺杂铋碲基材料的结构特征 | 第52-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 4 硅掺杂对铋碲基材料非晶态稳定性影响的第一性原理研究 | 第60-77页 |
| ·引言 | 第60-61页 |
| ·计算方法和模型 | 第61-63页 |
| ·硅掺杂的铋碲基材料晶态的电子结构和性质 | 第63-70页 |
| ·硅掺杂的铋碲基材料非晶态的结构和分析 | 第70-75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 5 拓扑绝缘体Bi_2Te_3非平庸表面态的调控 | 第77-93页 |
| ·引言 | 第77-78页 |
| ·模型和方法 | 第78-80页 |
| ·结果与讨论 | 第80-91页 |
| ·本章小结 | 第91-93页 |
| 6 全文总结 | 第93-99页 |
| ·研究内容总结 | 第93-97页 |
| ·主要创新点 | 第97页 |
| ·对进一步研究的展望 | 第97-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-111页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第111-112页 |
| 附录2 攻读博士学位期间申请的发明专利 | 第112页 |