| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 1 绪论 | 第10-16页 |
| ·非易失性存储器 | 第10-11页 |
| ·相变存储器 | 第11-13页 |
| ·相变存储器的发展和现状 | 第11页 |
| ·相变存储器工作原理 | 第11-12页 |
| ·相变存储器失效分析 | 第12-13页 |
| ·MEMS 传感器 | 第13-14页 |
| ·MEMS 结构概述 | 第13-14页 |
| ·MEMS 工艺 | 第14页 |
| ·本论文研究目的与内容结构 | 第14-16页 |
| 2 相变存储器热应力的有限元模拟分析 | 第16-33页 |
| ·ANSYS 有限元分析简介 | 第16-17页 |
| ·热分析概述 | 第17-19页 |
| ·ANSYS 软件建模模拟相变存储器单元 | 第19-24页 |
| ·几何建模与材料属性 | 第19-21页 |
| ·网格划分 | 第21-23页 |
| ·施加载荷边界条件与求解 | 第23-24页 |
| ·ANSYS 模拟结果分析 | 第24-32页 |
| ·T 型结构相变存储器单元模拟结果分析 | 第24-26页 |
| ·相变层厚度的影响 | 第26-28页 |
| ·特征尺寸缩小趋势的模拟结果分析 | 第28-30页 |
| ·几何尺寸对相变存储器单元应力的影响以及结构优化 | 第30-31页 |
| ·材料对相变存储器应力的影响 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 3 相变材料应力测试 MEMS 传感器设计 | 第33-45页 |
| ·相变存储器应力和失效分析 | 第33页 |
| ·MEMS 应力传感器设计 | 第33-40页 |
| ·悬臂梁结构应力传感器 | 第33-34页 |
| ·弯梁结构应力传感器 | 第34-38页 |
| ·单梁结构应力传感器 | 第38-40页 |
| ·用于相变材料应力研究的 MEMS 传感器参数设计 | 第40-44页 |
| ·传感器结构参数设计 | 第40-42页 |
| ·传感器的版图设计 | 第42-43页 |
| ·实验分析方法 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 4 MEMS 应力传感器的制备 | 第45-59页 |
| ·MEMS 制备工艺概述 | 第45-47页 |
| ·相变材料应力 MEMS 传感器的制备工艺 | 第47-57页 |
| ·ICP 刻硅工艺 | 第47-49页 |
| ·牺牲层制备工艺 | 第49-50页 |
| ·结构层的 PECVD 工艺与 RIE 刻蚀 | 第50-52页 |
| ·牺牲层释放工艺与等离子体去胶 | 第52-54页 |
| ·沉积相变材料与实验分析 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 5 总结与展望 | 第59-61页 |
| ·总结 | 第59-60页 |
| ·展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表论文和申请专利情况 | 第66页 |