| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·课题的研究意义 | 第8-9页 |
| ·强电磁脉冲武器的国内外发展现状 | 第9-10页 |
| ·国内外电磁脉冲后门耦合效应研究现状 | 第10-11页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第11-14页 |
| 2 电磁环境及强电磁耦合作用机理 | 第14-22页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·高功率超宽带电磁环境 | 第14-15页 |
| ·电磁屏蔽原理简介 | 第15-16页 |
| ·强电磁脉冲的作用效应及毁伤机理 | 第16-20页 |
| ·强电磁脉冲在电子设备上的耦合作用与热电击穿效应 | 第16-18页 |
| ·强电磁脉冲对计算机系统作用的宏观失效分析 | 第18页 |
| ·强电磁脉冲作用下的半导体器件毁伤 | 第18-20页 |
| ·本章总结 | 第20-22页 |
| 3 电磁仿真软件介绍 | 第22-30页 |
| ·引言 | 第22页 |
| ·时域有限差分法理论基础 | 第22-25页 |
| ·麦克斯韦方程组 | 第22-23页 |
| ·坡印廷矢量 | 第23-25页 |
| ·波动方程 | 第25页 |
| ·激励源的选取 | 第25-26页 |
| ·时域有限差分法的Yee氏网格 | 第26-27页 |
| ·时域有限差分法的数值计算稳定条件 | 第27-28页 |
| ·时域有限差分法的吸收边界条件 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 4 强电磁脉冲孔阵耦合效应研究 | 第30-50页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·仿真模型的建立 | 第30页 |
| ·屏蔽体上孔阵的耦合效应时域分析 | 第30-38页 |
| ·不同孔阵个数对箱体中心的场强影响 | 第31-33页 |
| ·不同孔缝厚度对箱体中心场强的影响 | 第33-34页 |
| ·孔中心间距对箱体中心最大场强分贝的影响规律 | 第34-35页 |
| ·不同上升时间对箱体中心场强变化的影响 | 第35-37页 |
| ·上升时间对箱体中心最大场强分贝及最大功率密度的影响 | 第37-38页 |
| ·不同孔数及上升时间对孔缝耦合影响的时域分析 | 第38-42页 |
| ·不同孔缝个数对孔缝中心场强的影响 | 第38-40页 |
| ·不同上升时间对孔缝中心场强的影响 | 第40-42页 |
| ·不同对称排列的孔阵对孔缝耦合的影响 | 第42-44页 |
| ·位置偏移对孔阵耦合的影响 | 第44-47页 |
| ·不同孔型的混合孔阵的耦合效应时域分析 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 5 强电磁脉冲对计算机的毁伤效应研究 | 第50-68页 |
| ·引言 | 第50-52页 |
| ·机箱内PCB板上易损件处的功率密度 | 第52-63页 |
| ·主板上关键部位的功率密度 | 第52-57页 |
| ·不同入射场强时最大功率密度的变化 | 第57-58页 |
| ·任意上升时间对最大功率密度的影响 | 第58-61页 |
| ·场强入射方向对最大功率密度的影响 | 第61-63页 |
| ·半导体器件的能量毁伤 | 第63-67页 |
| ·强电磁脉冲对MOS器件的毁伤 | 第63-66页 |
| ·强电磁脉冲对二极管器件的毁伤 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 6 总结 | 第68-70页 |
| ·本文主要研究内容 | 第68页 |
| ·本文不足及改进之处 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |