| 中文摘要 | 第1-12页 |
| ABSTRACT | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-29页 |
| ·纳米材料概述 | 第15-18页 |
| ·低维纳米材料分类 | 第16-18页 |
| ·低维纳米材料实验制备简介 | 第18页 |
| ·低维纳米材料研究现状与进展 | 第18-22页 |
| ·选题意义及亟待解决的问题 | 第22-23页 |
| ·论文结构 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-29页 |
| 第二章 理论方法 | 第29-43页 |
| ·第一性计算方法的基本原理 | 第29-34页 |
| ·从头计算方法的三个基本近似 | 第30-31页 |
| ·Hartree-Fock近似 | 第31-34页 |
| ·密度泛函理论 | 第34-40页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第34-36页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第36-37页 |
| ·交换相关泛函 | 第37-40页 |
| ·赝势方法 | 第40页 |
| ·程序包简介 | 第40-42页 |
| ·SIESTA软件包 | 第40-41页 |
| ·VASP软件包 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-43页 |
| 第三章 SiC多面单晶纳米线和多壁纳米管的第一性原理研究 | 第43-59页 |
| ·前言 | 第43-44页 |
| ·理论细节 | 第44-45页 |
| ·SiC纳米线和多壁纳米管的能量演化与电子结构特性 | 第45-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 第四章 单晶3C-SiC纳米线的第一性原理研究 | 第59-71页 |
| ·前言 | 第59-60页 |
| ·理论细节 | 第60-61页 |
| ·不同生长方向的单晶3C-SiC纳米线稳定性研究 | 第61-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 第五章 ZnO/GaN-core/shell异质结纳米线的第一性原理研究 | 第71-83页 |
| ·前言 | 第71-72页 |
| ·理论细节 | 第72-73页 |
| ·ZnO/GaN-core/shell异质结纳米线结构与电子特性 | 第73-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-83页 |
| 第六章 ZnO/GaN和ZnO/(Ga_(1-x)Zn_x)(N_(1-x)O_x)/GaN异质结构能带带阶的第一性原理研究 | 第83-97页 |
| ·前言 | 第83-85页 |
| ·理论细节 | 第85页 |
| ·ZnO/(Ga_(1-x)Zn_x)(N_(1-x)O_x)/GaN异质结构电子特性研究 | 第85-93页 |
| ·本章小结 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-97页 |
| 第七章 总结与展望 | 第97-100页 |
| ·本论文的主要内容和结果 | 第97-98页 |
| ·本论文的特色和创新 | 第98-99页 |
| ·展望 | 第99-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
| 攻读博士学位期间参与和主持的项目 | 第101页 |
| 获奖情况 | 第101-102页 |
| 已发表和即将发表的论文 | 第102-104页 |
| 参加的培训与学术会议 | 第104-105页 |
| 附录：外文论文 | 第105-121页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第121页 |
