| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-21页 |
| ·课题背景 | 第8-9页 |
| ·红外探测器的种类 | 第9-11页 |
| ·光子红外探测器常用材料结构和性质 | 第11-16页 |
| ·HgCdTe | 第11-12页 |
| ·In(As)Sb | 第12-15页 |
| ·GaAs 基材料 | 第15-16页 |
| ·外延薄膜的制备 | 第16-19页 |
| ·异质外延薄膜的生长 | 第16-18页 |
| ·InAsSb 外延层生长技术 | 第18-19页 |
| ·本文主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第2章 材料与实验方法 | 第21-30页 |
| ·材料的选择 | 第21-25页 |
| ·衬底材料GaAs | 第21页 |
| ·功能层材料InAsSb | 第21-25页 |
| ·实验方法 | 第25-30页 |
| ·MBE－InAsSb 薄膜的制备方法 | 第25-28页 |
| ·分析测试方法 | 第28-30页 |
| 第3章 NBN 异质结结构的设计与制备 | 第30-35页 |
| ·InAsSb/InAlSb 异质结结构设计 | 第30-33页 |
| ·引言 | 第30-32页 |
| ·NBN 结构的设计 | 第32-33页 |
| ·InAsSb/InAlSb 薄膜的制备 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第4章 InAsSb/InAlSb 异质外延薄膜的微观组织结构研究 | 第35-48页 |
| ·InAsSb 薄膜表面形貌观察 | 第35-36页 |
| ·InAsSb 薄膜结构分析 | 第36-42页 |
| ·InAsSb 薄膜晶体质量分析 | 第36-40页 |
| ·InAsSb 薄膜的微观结构研究 | 第40-41页 |
| ·InAsSb/InAlSb 薄膜的断面分析 | 第41-42页 |
| ·InAsSb/InAlSb 薄膜成份分布分析 | 第42-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第5章 InAsSb/InAlSb 异质结薄膜的光学与电学性能研究 | 第48-56页 |
| ·InAsSb/InAlSb 异质结薄膜光学性能 | 第48-52页 |
| ·引言 | 第48-50页 |
| ·InAsSb/InAlSb 异质结的红外光谱分析 | 第50-52页 |
| ·InAsSb/InAlSb 异质薄膜电学性能研究 | 第52-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
